国家/地区 韩国（186）
IPC部 C（186）
IPC大类 C01（186）
IPC小类 C01B（183） G01N（88） H01L（43）
B82Y（34） B01J（29） G03F（29）
H01B（29） G02F（21） B32B（17）
G06F（16） C23C（14） C01G（13）
C12Q（13） H01M（11） C08L（10）
IPC C01B031/04（82） C01B031/02（53） C01B032/182（38）
C01B032/194（31） B82Y030/00（23） B82Y040/00（22）
C01B032/186（18） G01N033/00（18） H01B001/04（17）
G03F001/62（16） H01B005/14（16） G06F003/041（14）
C01B032/184（13） G01N027/407（12） B32B009/00（10）
发明人 KIM J（12） LEE S Y（9） KIM H K（7）
KIM S（7） BYUNG Y S（6） LEE J（6）
LEE S（6） LEE Y（6） NAG E C（6）
KIM H Y（5） LEE K B（5） MI K H（5）
PARK J（5） SEUNG H H（5） AHN S I（4）
公开年 2017（47） 2022（22） 2013（18） 2021（17） 2018（16） 2014（14） 2020（11） 2012（10） 2016（9） 2015（7） 2011（5） 2009（4） 2023（3） 2010（2）
申请年 2016（36）  2012（20）  2015（18）  2020（17）  2017（15）  2021（14）  2011（12）  2013（12）  2019（11）  2014（9）  2018（7）  2022（7）  2009（4）  2008（2）  2010（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（12） UNIV SEOUL N.（11） UNIV SUNGKYU.（11） KOREA ELECTR.（9）
KOREA INST S.（8） KOREA ADVANC.（6） TOSHIBA SAMS.（6） KOREA RES IN.（5）
LG DISPLAY C.（5） SNU R DB FO.（5） UNIV GACHON .（5） UNIV HANYANG.（5）
KOREA ADVANC.（4） CHOI K H（3） GWANGJU INST.（3） HANWHA AEROS.（3）
HANWHA TECHW.（3） KOREA ADV IN.（3） LG ELECTRONI.（3） SAMSUNG TECH.（3）

Pellicle used for reticle for extreme-UV exposure, comprises pellicle film through which extreme-UV rays transmit and support frame for supporting pellicle film, where pellicle film comprises multilayer thin film structure.

KIM Y H, KIMYONGHWAN

Pellicle used for exposure to extreme UV rays, comprises substrate having opening formed in central portion, etch stop layer formed on substrate to cover opening, and nanoporous graphene layer in which nanopores are formed on graphene layer, provided on etch stop layer.

KIMHYUNGKEUN, MI K H, KIM S K, JOJINWOO, KIM H Y

System for detecting two-dimensional (2D) object, has identifying 2D detection target or detecting its location using each contrast ratio according to red, green and blue (RGB) wavelength band extracted from optical image of 2D detection target.

SEO Y H, NGUYEN D C, PARK Y E, YONGHO S, BALL C

Manufacturing plastic card with graphene-antenna comprises preparing colloidal solution including graphene and preparing graphene ink component by mixing colloidal solution, water-dispersible polyurethane solution, and crosslinking agent.

PARK H R

Infrared adaptive transparent camouflage film comprises substrate portion, graphene layer on substrate portion, electrode layer spaced apart from graphene layer, and ion gel layer formed on or between graphene layer and electrode layer.

LIM M K, KIM H D, KIM K S, KIM J H, JUNG H J, LEE H J, HYUN S M, LIM M, KIM K, KIM J

Gasochromic nanocomposite material used in sensor for detecting hydrogen, comprises molybdenum trioxide nanoflakes, and palladium nanoparticles and nickel nanoparticles arranged on surface of molybdenum trioxide nanoflakes.

SEO H T, LE T D, HYUNGTAKSEO, THAIDUY L

Sensor useful in detecting nitrogen dioxide for hospitals, medical facilities, medicinal manufacturing, and chemical handling industries, comprises graphene sheet positioned on substrate, and tungsten oxide nanorods doped on graphene sheet.

LEE K B, NAM Y, LEE S Y, LEE Y, KIM J, OH I H

Direct growth method of multilayer graphene through pressure heat treatment, comprises forming etch stop layer, forming metal catalyst layer, forming amorphous carbon layer and directly growing multilayer graphene on seed layer.

KIM H, KIM S K, MI K H, YOO C S, JOJINWOO, KIM H Y, JEONJUNHYUCK, YUNSUNGHO, SUNG K H, LEE S M

Performing low-temperature direct growth method of multilayer graphene for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography, involves forming etch stopper on substrate, and forming seed layer on etch stopper, where seed layer is selected from boron nitride, or boron carbon nitride.

KIM H Y, CHO J W, KIM H M, KIM S G, KIM H K, KIM H, MI K H, KIM S K

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S