国家/地区 美国（54） 中国（42） 韩国（34） 世界知识产权组织（31） 日本（23） 欧洲专利局（EPO）（17） 台湾（11） 英国（4） 澳大利亚（3） 德国（3） 加拿大（2） 法国（2） 印度（2） 新加坡（2）
IPC部 B（85）
IPC大类 C23（85）
IPC小类 C23C（85） C01B（59） B82Y（47）
H01L（30） B01J（22） B32B（19）
C30B（13） B05D（8） H01B（7）
H01G（6） B22F（5） B82B（5）
H01M（4） C04B（3） C22C（3）
IPC C23C016/02（85）
发明人 NAGEL C J（5） SHIN H（5） BRODEUR C L（4）
CHOI J（4） ELSAYED K A M（4） LI J（4）
MAAROUF A A（4） SHIN H J（4） HONG B H（3）
MATSUMOTO T（3） ZHANG X（3） BINDER A（2）
CHA S W（2） CHO K W（2） CHOI J Y（2）
公开年 2021（12） 2022（11） 2013（10） 2023（9） 2016（8） 2015（6） 2014（5） 2018（5） 2011（4） 2012（4） 2017（3） 2020（3） 2009（2） 2019（2）
申请年 2022（13）  2021（10）  2020（9）  2014（8）  2013（7）  2016（7）  2011（6）  2012（6）  2015（5）  2017（3）  2018（3）  2008（2）  2010（2）  2019（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（7） QUANTUM ELEM.（5） UNIV IMAM AB.（4） TOKYO ELECTR.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） BASF SE（2） CENT ADVANCE.（2） CHINESE ACAD.（2）
HEIQ MATERIA.（2） HONG B H（2） KOREA INST S.（2） POSTECH ACAD.（2）
SHANGHAI INS.（2） SRC CORP（2） UNIV CALIFOR.（2） UNIV SUNGKYU.（2）
UNIV SUNGKYU.（2） UNIV XIDIAN（2） US SEC OF NA.（2） UTBATTELLE L.（2）

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Method for preparing conductive graphene film, involves forming concave-convex surface on copper foil by stamping, and using metal substrate chemical vapor deposition method to prepare copper-based graphene conductive film.

CHEN Q

Preparing gallium nitride nanowire/graphene composite material useful in sterilizing device, comprises providing substrate, forming layer of gold film on positive and negative surfaces of substrate, growing gallium nitride nanowire on substrate covered with gold film, and depositing graphene film.

LI J, FU Y, DAI Y, LIN C, WANG Z, LIN L, YANG Y, HU Y, XU Z, FU Z

Depositing nano-graphene comprises flowing hydrocarbon precursors into reaction chamber to adsorb onto metal layer of substrate at specific temperature, where metal layer interacts with adsorbed hydrocarbon precursor.

SHARMA K, VARADARAJAN B N

Normally-closed gallium nitride integrated device of large threshold voltage used in mobile phone, has sub-gate composed of gate layer connected through graphene film electrode to form series-parallel mixed double high frequency characteristics high electron mobility transistor integrated structure.

LUO M, CHENG T, WANG X, ZU Y, YU C

Transparent electrode for solar cell, comprises transparent substrate and composite layer disposed on transparent substrate, where composite layer comprises graphene layer and set of nanoparticles, where nanoparticles are embedded in graphene layer and extend through thickness of graphene layer.

ELSAYED K A M, MAAROUF A A

Preparing solar cell involves heating substrate deposited with nanoparticles, forming composite layer with graphene layer, cooling, disposing transparent substrate having quartz, glass and polymers such as polymethylmethacrylate, polystyrene, fabricating electrode, forming cathode and electrolyte.

ELSAYED K A M, MAAROUF A A

Method of forming nano crystalline graphene, involves arranging substrate having pattern in reaction chamber, injecting reaction gas into reaction chamber, reaction gas including carbon source gas, inert gas, and hydrogen gas that are mixed, generating plasma of reaction gas in reaction chamber.

LEE C, JUNG A, SHIN H, SHIN K, SHIN K W, SHIN H J, JUNG A R, LEE C S

Method for preparing metal-graphene composite material by using electronic component, involves preparing metal-graphene composite material by hot-pressing sintering, and applying pulse current to metal substrate to perform surface heat treatment to metal substrate.

WANG X, HUO Y, LI J, CAO Z, XIAO Z