国家/地区 美国（62）
IPC部 C（62）
IPC大类 C23（62）
IPC小类 C30B（62）
IPC C23C016/26（36） C30B029/02（33） C01B031/04（30）
C30B025/18（26） B82Y040/00（23） C01B031/02（21）
C23C016/02（21） B82Y030/00（19） C01B032/186（19）
H01L021/02（15） C30B025/02（11） H01L029/16（10）
C01B032/194（9） C23C016/34（9） C23C016/56（9）
发明人 VEERASAMY V S（4） XIE X（4） DING G（3）
VEERASAMY V（3） WANG H（3） CASTRO A H（2）
CHIBA Y（2） CHIBA YOSHIHIRO（2） COJOCARU C（2）
FAN F Y（2） FAN S（2） GI Y（2）
HONG B H（2） JIANG M（2） KIM J（2）
公开年 2013（9） 2021（9） 2012（7） 2014（7） 2016（6） 2011（5） 2015（5） 2017（4） 2018（3） 2022（3） 2009（2）
申请年 2012（9）  2013（8）  2016（7）  2020（7）  2011（6）  2014（6）  2015（4）  2021（4）  2009（3）  2017（3）  2008（2） 
专利权人 GUARDIAN IND.（4） SHANGHAI INS.（4） GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3）
CENT NAT REC.（2） CHINESE ACAD.（2） DING G（2） ECOLE POLYTE.（2）
HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） JX NIPPON MI.（2） NIPPON MININ.（2）
SAMSUNG TECH.（2） UNIV SINGAPO.（2） UNIV TSINGHU.（2） UNIV XIDIAN（2）
XIE X（2） ZHANG K（2） ZHANG Y（2）

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Tantalum carbide-coated carbon material for e.g., LED manufacturing equipment, comprises a carbon substrate, and a tantalum carbide coating layer formed on the carbon substrate.

JO D W, CAO D, WAN J, CHO D W

Manufacturing monocrystalline graphene for display, secondary battery, solar cell, light-emitting device, catalyst and sensor, involves supplying aromatic carbon gas onto single-crystalline metal catalyst to manufacture graphene.

KIM B J, CHOI J, CHOI J Y, JUN K

Formation of two-dimensional silicon carbide used as wide band gap semiconducting material in electronic applications, involves preparing solution comprising silicon carbide particles and solvent, ultrasonically processing solution, and centrifuging to extract two-dimensional silicon carbide.

CHABI S

Radiating table designed with special water channel of alloy material, has heat dissipation pipe fitting to water pipe through groove, heat dissipation platform provided with several waterway annular grooves communicated with water pipe through groove.

ZHAO J, HU C, HU C Q, ZHAO J H

Coating metal workpiece e.g. electrical connector, involves exposing workpiece to carbon-containing precursor gas and hydrogen gas at preset flow rate and total gas pressure, and exposing to carbon-containing precursor gas and carrier gas.

ADAMS H J

Formation of porous graphene layer used as semipermeable membrane, involves providing catalytically active substrate comprising copper-nickel alloy substrate, to catalyze graphene formation under chemical vapor deposition conditions.

CHOI K, PARK H G, HEIGHT M, CHOI K J, PARK H, PIAO H

Phonovoltaic cell used as part of phonovoltaic pile of contiguous phonovoltaic cell comprises first and second conductor layer, first boron layer in contact with the first conductor layer, second boron layer in contact with the second boron layer.

CURRAN P

Fabricating hexagonal boron nitride comprises placing catalytic metal having hexagonal crystal structure and lattice mismatch with hexagonal boron nitride in chamber and growing hexagonal boron nitride on the catalytic metal while supplying nitrogen source and boron source into the chamber.

LEE C, SHIN H, HONG S, MA K, LEE C S, SUK S H, SHIN H J, LI C, SHEN X

System for growing crystalline material, has optical emission spectrometer (OES) that controls parameter in closed loop and maintains required proposition of plasma constituent for growth of crystalline materials in microwave plasma reactor.

SHARDA T, BHANDARI R, RAJNEESH B, TARUN S