国家/地区 美国（40）
IPC部 C（40） B（33） H（20）
D（3） G（3）
IPC大类 C23（40）
IPC小类 C23C（38） C01B（31） B82Y（26）
B32B（14） B05D（9） H01B（9）
H01L（9） B01J（6） B82B（4）
C23F（4） C30B（4） B44C（3）
D01F（3） H05K（3） B21B（2）
IPC C23C016/26（26） B82Y040/00（22） B82Y030/00（21）
C01B031/02（21） C01B031/04（21） B32B009/04（7）
H01B001/04（6） B05D005/12（5） C23C016/02（5）
B32B009/00（4） B82Y099/00（4） C01B032/182（4）
H01L021/02（4） H01L023/532（4） B82B003/00（3）
发明人 FAN S（4） CHIBA G（2） CHIBA Y（2）
CHIU P（2） CHIU P W（2） FAN F Y（2）
GI Y（2） HUNLEY D P（2） JIANG K（2）
KIM Y K（2） LI X（2） LIN X（2）
LIN Y（2） STRACHAN D R（2） TAKAHASHI M（2）
公开年 2013（40）
申请年 2012（40）
专利权人 HON HAI PREC.（4） HONGFUJIN PR.（4） UNIV TSINGHU.（4） CHIU P（2）
JX NIPPON MI.（2） LI X（2） LIN Y（2） NIPPON MININ.（2）
NIPPON MININ.（2） SAMSUNG ELEC.（2） SEMICONDUCTO.（2） TOSHIBA KK（2）
UNIV KENTUCK.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Synthesis of thin film e.g. graphene film for e.g. electronic application, involves stacking buffer layer on substrate, coiling substrate and buffer layer stack to cylindrical shape, forming thin film, and unloading substrate.

LI X

Method for synthesizing e.g. graphene film using chemical vapor deposition-type furnace for electronics application, involves positioning two support fixtures in reaction chamber, and unloading substrate from support fixtures.

LI X, LIN Y, SUNG C

Composition, useful in an electronic device, spintronic device or optoelectronic device, comprises ordered film of boron nitride containing multiple layers, where the film has a major surface, and a layer of graphene formed on major surface.

KELBER J A

Composite structure, useful for a transparent electrode in display panels of mobile phones and tablet personal computers, comprises nanofiber substrate, graphene layer disposed on a surface of a net structure and organic compound.

MA C M, HUANG Y, YANG S, TIEN H, MA M C, WANG N

Fabricating graphene, comprises depositing graphene seed layer on substrate of base layer, depositing catalyst metal layer on substrate and graphene seed layer and introducing carbon atom to graphene seed layer.

PATIL V

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Making strip shaped graphene layer used as conductive layer in semiconductive device, comprises making drawn carbon nanotube film, disposing carbon nanotube composite, removing polymer material and etching nanotube segment and graphene film.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer used in semiconductor devices e.g. sensor, involves providing carbon nanotube structure comprising film on substrate surface, implanting carbon ions into substrate, and annealing substrate to obtain layer.

LIN X, JIANG K, FAN S

Preparation of graphene paper involves introducing protective gas into reaction chamber having clean substrate, heating substrate, continuously introducing carbonaceous material and cooling to obtain graphene paper on substrate surface.

WANG Y, YUAN X, ZHOU M