国家/地区 中国（90） 美国（59） 世界知识产权组织（41） 日本（35） 韩国（29） 欧洲专利局（EPO）（21） 台湾（16） 印度（10） 英国（6） 俄罗斯（4） 墨西哥（3） 加拿大（2） 西班牙（2） 法国（2） 波兰（2） 新加坡（2）
IPC部 C（147）
IPC大类 C23（147）
IPC小类 C23C（147）
IPC C23C016/26（87） C30B029/02（77） C30B025/18（56）
C23C016/02（37） C01B031/04（32） C01B031/02（26）
C01B032/186（26） H01L021/02（26） B82Y040/00（23）
C30B025/02（22） B82Y030/00（19） C30B025/00（15）
C23C016/56（14） C30B029/64（14） C23C016/34（13）
发明人 ZHANG Y（11） WANG H（8） WANG D（6）
XIE X（6） ZHANG J（6） CHEN Z（5）
HAO Y（5） LEI T（5） ZHANG K（5）
AIDA H（4） AOTA N（4） DENG P（4）
DING G（4） GUO H（4） LI C（4）
公开年 2022（23） 2012（16） 2021（15） 2016（13） 2013（12） 2017（12） 2014（11） 2023（9） 2015（8） 2018（8） 2020（8） 2011（7） 2009（2） 2019（2）
申请年 2021（23）  2012（18）  2016（18）  2022（14）  2020（12）  2013（11）  2014（11）  2011（10）  2015（8）  2017（6）  2019（4）  2009（3）  2018（3）  2008（2）  2010（2）  2023（2） 
专利权人 SHANGHAI INS.（10） UNIV XIDIAN（9） GUARDIAN IND.（4） NAMIKI SEIMI.（4）
UNIV PEKING（4） CHINESE ACAD.（3） CHINESE ACAD.（3） GUARDIAN GLA.（3）
GUARDIAN IND（3） PARAGRAF LTD（3） UNIV SINGAPO.（3） UNIV TSINGHU.（3）
CENT NAT REC.（2） CHANGZHOU ER.（2） CHINESE ACAD.（2） CHONGQING GR.（2）
DING G（2） DOKURITSU GY.（2） ECOLE POLYTE.（2） HON HAI PREC.（2）

Depositing gate dielectric on two-dimensional material involves depositing seed layer over atomically smooth surface of two dimensional material, evaporating predefined thickness of seed layer from atomically smooth surface, and performing atomic layer deposition.

SHRIVASTAVA M, KHANEJA M, MEERSHA A

Preparation of folding-resistant high-peeling aluminum-coated fabric involves coating coupling agent on etched surface of aluminum foil, coating conductive adhesive on coupling agent layer, pressing fabric on adhesive layer, and sewing.

CHEN Y, YE W, SUN Q, LONG X

Preparing wafer-sized gallium oxide film comprises e.g. cleaning gallium metal droplets to remove surface oxide film, placing pure gallium droplet on surface of heated substrate, and roll gallium droplet with extrusion rod coated with viscoelastic or rubbery polymer material on surface.

ZHANG L, TU R, LU P, ZHANG S, LI B

Preparing single crystal graphene/two-dimensional cuprous telluride heterojunction surface-enhanced Raman spectroscopy substrate useful in surface-enhanced Raman spectroscopy, comprises etching copper film on single-crystal graphene, heating in tellurium source and molecular sieve and reacting.

CHANG K, HUANG M, WANG H, CHEN K

Preparing a metal wafer substrate involves forming metal thin film on the sapphire substrate by magnetron sputtering, and annealing under mixed atmosphere of hydrogen and argon.

PENG H, YANG Y, CAO Y, TANG J, YAN R, DU Y

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Growing single crystal III-nitrides on ceramic substrate comprises e.g. depositing filling material on surface of ceramic substrate, grinding and polishing to obtain smooth surface, and/or forming aluminum-oxygen compound layer or two-dimensional material layer on surface.

GUO F, YANG H, CHEN Z, WU J, SHEN B, YANG X

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Electrical connection component for e.g. electric contact, comprises base material and nanocarbon material film composed of graphene laminated material formed by laminating two layers of graphene single layer materials.

KITANO A, SHIMIZU T, KUBO T

Preparing quantum resistance chip based on graphene, involves providing silicon carbide substrate, annealing silicon carbide substrate, performing epitaxial growth on surface of substrate by using chemical vapor deposition method by using silicon ethane as gas catalyst and acetylene.

XIAO X, CHEN L, KONG Z, WANG H