国家/地区 中国（21） 美国（20） 世界知识产权组织（12） 日本（9） 欧洲专利局（EPO）（8） 韩国（8） 台湾（4） 法国（3） 英国（2） 新加坡（2）
IPC部 C（40）
IPC大类 C30（40）
IPC小类 C30B（40）
IPC C30B029/02（25） C01B031/04（16） C01B031/02（15）
B82Y040/00（14） B82Y030/00（12） C23C016/26（10）
C30B025/18（9） H01L021/02（9） C30B025/00（7）
H01L029/16（6） C30B025/02（5） H01L021/20（5）
H01L021/205（5） C23C016/02（4） C01B032/184（3）
发明人 CHAI Z（3） FAN S（3） HAN D（3）
HAO Y（3） NING J（3） WANG D（3）
WEI Y（3） YAN Y（3） ZHANG J（3）
BERRY V（2） CHEN J（2） FAN F Y（2）
GI Y（2） KELBER J（2） LI X（2）
公开年 2013（40）
申请年 2012（18）  2013（16）  2011（6） 
专利权人 CENT NAT REC.（3） HON HAI PREC.（3） HONGFUJIN PR.（3） UNIV TSINGHU.（3）
UNIV XIDIAN（3） CNRS CENT NA.（2） HANGZHOU GEL.（2） KELBER J（2）
MEMC ELECTRO.（2） SUNEDISON SE.（2） UNIV KANSAS .（2） UNIV NANCHAN.（2）
UNIV NORTH T.（2）

Composition of graphene-based nanomaterials used in e.g. nanostructure and gas sensor, comprises atomic layer of graphene monoxide, where graphene monoxide is crystallographically ordered and configured to form diffraction rings.

CHEN J, GAJDARDZISKAJOSIFOVSKA M, HIRSCHMUGL C, MATTSON E, PU H, WEINERT M

Forming graphene layer on quartz substrate comprises melting portion of quartz substrate, diffusing a form of carbon into the melted portion to form carbon and quartz mixture and precipitating single or few layer graphene out of the mixture.

XU X, WEI D, YE P

Apparatus used for producing graphene comprises seed crystal fixed to support substrate, feedstock injector, laser to selectively generate laser beam, and beam shaping optics to couple laser beam to a portion of seed crystal and feedstock.

HAUCK J P

Growing multilayer graphene film used to form flexible transparent electrode, comprises disposing carbonizing catalyst in reaction chamber, flowing gaseous carbon source/weak oxidizing vapor over catalyst surface, and cooling.

LOH K P, ZHANG K, CASTRO A H, LOH K

Doped high electronic grade graphene thin film for solid-state solar cells, has n-type/p-type dopants made of nitrogen, boron and phosphorus, where film is grown directly or indirectly on metal catalyst thin film with crystal structure.

VEERASAMY V S

Method for producing graphene layer, involves fixing liquid metal on solid substrate or ceramic metal, fixing outer layer of liquid metal or alloy metals at melting point, and forming multi-layer in graphene forming die.

KULA P, RZEPKOWSKI A, PIETRASIK R, ATRASZKIEWICZ R, DYBOWSKI K, MODRZYK W

Manufacture of graphene involves coating graphene oxide solution on substrate, drying coated graphene oxide solution on substrate, forming graphene oxide flakes, and growing graphene.

RHO J, PARK W, JUNG M, SEO B, MOON J

Applying graphene coating to a substrate containing iron or aluminum, comprises providing metallic layer on a surface of substrate, and contacting metallic layer with a source of carbon atoms to provide a graphene coating on metallic layer.

KINLOCH I, LEWIS A, KING M, LEVIS A

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y