国家/地区 日本（76）
IPC部 C（76）
IPC大类 C01（76） H01（75） B82（35）
B32（22） C23（13） B01（10）
H05（10） B05（8） C08（7）
C25（6） C07（4） C09（4）
C30（3） G11（3） B29（2）
IPC小类 C01B（76）
IPC C01B031/02（66） C01B031/04（36） B82Y030/00（31）
B82Y040/00（25） H01M004/62（15） H01M004/583（14）
H01M004/36（13） H01M004/587（13） H01B013/00（12）
H01L029/06（12） B32B009/00（11） H01B001/04（11）
H01L029/786（11） H01L021/336（10） C01B032/182（9）
发明人 NOMOTO K（6） OGUNI T（6） KOKUNI T（5）
NAGATA T（4） OSADA T（4） TODORIKI H（4）
TODOROKI H（4） GUO J（3） GUO J W（3）
HE X（3） INOUE N（3） KIMURA N（3）
KOBAYASHI T（3） LI J（3） LI J J（3）
公开年 2013（42） 2012（23） 2014（11）
申请年 2012（76）
专利权人 SEMICONDUCTO.（13） PANASONIC CO.（6） DOKURITSU GY.（5） HON HAI PREC.（4）
HONGFUJIN PR.（4） UNIV TSINGHU.（4） JAPAN SCI T.（3） JAPAN SCI TE.（3）
SONY CORP（3） TODORIKI H（3） BASF AG（2） BASF CHINA C.（2）
BASF SE（2） FUJI ELECTRI.（2） FUJITSU LTD（2） HASHIMOTO K（2）
KAMIYA K（2） MAX PLANCK G.（2） NAKANISHI S（2） NOMOTO K（2）

Manufacture of laminate used for thin film solar cell, involves smoothing uneven surface of substrate by forming resin layer in uneven surface, and laminating substrate and graphene film which are bonding together, through resin layer.

FUJII K, SATO M

Graphene film roll comprises graphene film, resin layer, and base material, where resin layer is obtained using resin with predetermined adhesive peel strength after curing.

YAMADA T, SHIMADA N

Unitary graphene layer or graphene single crystal useful for heat-spreading applications e.g. as a heat spreader or a heat sink product in e.g. hand-held device comprises closely packed and chemically bonded parallel graphene planes.

ZHAMU A, WANG M, XIONG W, JANG B Z

Manufacture of semiconductor element for electronic device, involves forming catalyst layer, removing portion which opposes portion of back surface, forming graphene, adjoining portion of back surface to substrate side and transferring.

KOJIMA E

Suspension, useful in the production of electronic materials, electronic articles such as electronic circuits and capacitors such as super caps, comprises a water miscible solvent, graphene flakes and an additive.

BERGER A, WOLFRUM C, SCHNEIDER A, GOEBELT B, GOBELT B

Manufacturing method of graphene involves growing copper single crystal film on spinel single crystal plane substrate, and growing graphene by chemical vapor deposition method with carbon-containing source gas.

NOZAWA K, YOSHII S

Manufacture of electromagnetic-wave-absorption film for e.g. personal computer, involves coating organic-solvent dispersion liquid comprising graphene microparticles and binder resin on surface of plastic film, and drying coated film.

KAGAWA S, SEIJI K

Manufacture of graphene film used as transparent conductive film, involves growing graphene on substrate, contacting graphene with another substrate, removing substrate, and stretching graphene and fixing laminated material.

FUJII K, SATO M

Manufacture of fine carbon for composite material, involves oxidation-treating linear carbon fiber, forming graphene sheet having oxygen-containing chemical-modifying group and laminating graphene sheets in longitudinal direction.

KON M, IDE K, KOSHIRO K, MINE T, NOMA T, YOSHIKAWA J, SUZUKI A

Heat sink used for package used for semiconductor device, consists of components having sub-portion mounted on upper surface of main portion, and mutually-connected graphene sheets arranged in main surface of heat sink.

MIYAWAKI K