国家/地区 中国（23） 世界知识产权组织（23） 美国（12） 台湾（11） 韩国（10） 日本（9） 欧洲专利局（EPO）（5） 澳大利亚（3） 加拿大（3） 德国（3） 印度（3） 西班牙（2） 英国（2） 菲律宾（2）
IPC部 C（66） H（39） B（20）
G（11） A（5） F（2）
IPC大类 C01（66） H01（35） B82（15）
G01（6） G02（5） C09（4）
B01（3） H04（3） H05（3）
A47（2） B32（2） C08（2）
C23（2） F16（2）
IPC小类 C01B（66）
IPC C01B032/182（66）
发明人 LI Z（5） LI S（4） WU J（4）
XIAO D（4） ZHANG Y（4） BIANZON P N P（2）
CO F D C（2） FAN S（2） HE M（2）
HUANG C（2） HUANG H（2） INDIANA H C M（2）
JIN Y（2） KURIKI K（2） LI Q（2）
公开年 2022（66）
申请年 2021（66）
专利权人 GUANGZHOU ZH.（4） CONSEJO SUPE.（2） CTRON ADVANC.（2） FUJITSU LTD（2）
HON HAI PREC.（2） PHILIPPINE S.（2） SEMICONDUCTO.（2） TAIWAN SEMIC.（2）
UNIV KANSAS .（2） UNIV TSINGHU.（2） YAZAKI CORP（2）

Preparation of graphene dispersion used for preparing graphene composite film, involves mixing graphene and inducer comprising sodium silicate solution, and ultrasonically oscillating obtained dispersion.

HUNG W S, HUANG C H, SHI M

Heat dissipation structure for electronic device e.g. mobile phone, has heat dissipation module whose side protrudes from top surface of heat generating element, and does not contact with surface of carrier.

HE M, HUANG H, HUANG C

Graphene element used as field effect transistor having top gate structure, comprises boron nitride layer having turbostratic structure, and graphene layer in contact with boron nitride layer.

KONDO O

Determining number of graphene layers involves determining relative intensity of substrate-bound Raman-active mode in graphene-covered region to intensity of substrate-bound Raman-active mode in graphene-free region.

DOBROWOLSKI A, JAGIELLO J, CIUK T

Method for producing graphene electrode with cell structure used in lithium-ion battery involves using plasma sintering technology to solve problem of difficult fusion between graphene sheet, and using nano metal particles to cut and tunnel graphene under plasma atmosphere.

SUN B

Material used for forming light-control film, comprises graphene-like carbon material which is surface modified by functional groups, having preset ratio of height of peak derived from functional group and height of reference peak derived from carbon hexagonal network surface of carbon material.

FUKUI H, HAINO T, SEKIYA R

Antibacterial and antiviral filtering device crossed by contaminated air used in separation processes comprises column structure of contiguous filter modules delimited by lateral surface at inlet and lateral surface at outlet.

BUSSO G

Heteroatom doping in graphene by preparing mixture of graphene and doping precursor in solvent, ultrasonically processing mixture, and subjecting dispersed solution to microwave radiation to obtain layers of heteroatom doped graphene.

BHUSHAN R, THAKUR A K, KUMAR P

Semiconductor device, comprises substrate and fin structure on substrate, and includes epitaxial region, etch stop layer on epitaxial region, interlayer dielectric layer on etch stop layer, and metal contact through etch stop layer and interlayer dielectric layer.

SHEN T, HUANG J, CHEN S, LIN H, LIN C, WOON W, KHADERBAD M A

Graphene nanoribbon used as channel for electronic device e.g. top gate-type field effect transistor and thin film transistor, is fused cyclic compound.

YAMAGUCHI J, HAYASHI H, YAMADA Y