国家/地区 美国（71） 中国（61） 世界知识产权组织（52） 韩国（43） 日本（38） 欧洲专利局（EPO）（28） 台湾（16） 英国（8） 德国（5） 西班牙（4） 印度（4） 澳大利亚（3） 加拿大（3） 新加坡（3） 巴西（2） 香港（2） 土耳其（2）
IPC部 B（108）
IPC大类 C01（108）
IPC小类 C01B（108）
IPC C01B032/186（108）
发明人 ELSAYED K A M（4） HONG B H（4） LI X（4）
LI Y（4） LIU X（4） MAAROUF A A（4）
SHIN H（4） WANG H（4） ZHANG X（4）
BOL A A（3） CHIBA G（3） CHIBA Y（3）
CHOI J（3） DUAN Y（3） IFUKU R（3）
公开年 2022（14） 2021（13） 2016（10） 2018（10） 2020（10） 2013（8） 2017（8） 2012（7） 2015（6） 2019（6） 2023（6） 2014（5） 2011（3）
申请年 2022（15）  2019（13）  2020（13）  2017（10）  2013（9）  2012（8）  2015（8）  2016（7）  2014（6）  2021（6）  2011（5）  2018（4）  2010（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（5） UNIV IMAM AB.（4） CHINESE ACAD.（3） CHONGQING GR.（3）
CORNING INC（3） GRAPHENE SQU.（3） HANWHA TECHW.（3） INT BUSINESS.（3）
JX NIPPON MI.（3） NIPPON MININ.（3） NIPPON MININ.（3） SAMSUNG TECH.（3）
SHANGHAI INS.（3） TOKYO ELECTR.（3） UNIV CALIFOR.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
BOL A A（2） CRRC IND RES.（2） GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND.（2）

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Preparing a sponge nickel-loaded nitrogen and fluorine double-doped vertical graphene useful in e.g. preparing anode and cathode materials for lithium-sulfur batteries, comprises e.g. obtaining Ni(AC)2 aqueous solution, adding N2H4H2O and mixing to obtain reaction solution.

TU J, WANG X, QIU Z, XIA X

Transparent electrode for solar cell, comprises transparent substrate and composite layer disposed on transparent substrate, where composite layer comprises graphene layer and set of nanoparticles, where nanoparticles are embedded in graphene layer and extend through thickness of graphene layer.

ELSAYED K A M, MAAROUF A A

Preparing solar cell involves heating substrate deposited with nanoparticles, forming composite layer with graphene layer, cooling, disposing transparent substrate having quartz, glass and polymers such as polymethylmethacrylate, polystyrene, fabricating electrode, forming cathode and electrolyte.

ELSAYED K A M, MAAROUF A A

Method of forming nano crystalline graphene, involves arranging substrate having pattern in reaction chamber, injecting reaction gas into reaction chamber, reaction gas including carbon source gas, inert gas, and hydrogen gas that are mixed, generating plasma of reaction gas in reaction chamber.

LEE C, JUNG A, SHIN H, SHIN K, SHIN K W, SHIN H J, JUNG A R, LEE C S

Digital formation of two-dimensional materials structures used for electronic components, involves generating donor substrates containing back surface and front surface, applying coating to front surface, and irradiating coating containing donor material.

ZERGIOTI I, PAPAZOGLOU S, ZACHARATOS F, LOGOTHETI A, PESQUERA A, ZURUTUZA A, NAVEH D

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Scale production device of high conductive graphene metal composite material, has sealing chamber that is provided with feeding area and high temperature area provided with heating mechanism, pressing mechanism and transport mechanism.

SHAO L, DUAN Y, SHI H, LI Z, ZHANG Y