国家/地区 美国（38） 韩国（31） 世界知识产权组织（28） 中国（24） 日本（21） 欧洲专利局（EPO）（14） 台湾（5） 德国（4） 英国（4） 法国（3） 新加坡（3） 澳大利亚（2） 加拿大（2） 印度（2）
IPC部 C（71）
IPC大类 C01（71） C23（71） B82（30）
H01（22） B32（19） B01（12）
C30（8） H05（8） B05（5）
G02（4） B44（3） D01（3）
C25（2）
IPC小类 C01B（71）
IPC C23C016/26（71）
发明人 LIU Z（3） WANG Y（3） BACSA R（2）
BOL A A（2） CHOI I S（2） DONG G（2）
HONG B H（2） HUNLEY D P（2） JIN H（2）
JUNG M（2） KADONO K（2） KIM K H（2）
KOBAYASHI T（2） LEE K J（2） MARTENS R I（2）
公开年 2013（71）
申请年 2012（33）  2013（20）  2011（18） 
专利权人 UNIV SUNGKYU.（5） CENT NAT REC.（3） INT BUSINESS.（3） KOREA ADVANC.（3）
SAMSUNG ELEC.（3） BOL A A（2） CHANGZHOU 2D.（2） CHANGZHOU ER.（2）
CNRS CENT NA.（2） INST NAT POL.（2） KOREA ADV IN.（2） LG ELECTRONI.（2）
OCEAN S KING.（2） PANASONIC CO.（2） RIJKSUNIV LE.（2） SONY CORP（2）
SRC CORP（2） TE CONNECTIV.（2） TYCO ELECTRO.（2） UNIV KENTUCK.（2）

Preparing double-layer graphene thin film used in field of e.g. micro-electronics, comprises e.g. coating catalyst on the surface of metal foil/thin film substrate, drying, placing in reaction chamber, pumping vacuum, and filling hydrogen.

LI P, WANG Z, CHEN Y, ZHANG W, LIU J

Structure useful to shield electromagnetic disorders for shielding electromagnetic radiation, comprises thin layer of graphene and flexible substrate, in which thin layer of graphene is applied on flexible substrate and is doped with dopant.

AVOURIS P, GARCIA A V, SUNG C, XIA F, YAN H

Graphene growth device includes graphene deposition system, deposition furnace, vehicle, inner quartz tube, horizontal slide rail, heating system, vehicle body, furnace body, graphite mold, graphite alkenyl bottom, and opening end.

JIN H, LIU Z, ZHOU Z, PENG P

MManufacturing three-dimensional structure of graphene useful in flexible display, comprises preparing mold, forming graphene layer on mold, forming support structure for covering first and second sides on graphene layer, and removing mold.

LEE S, BYUN N, JUNG M, LEE D, SEO B

Manufacture of graphene film used for e.g. gas barrier film, involves depositing graphene film on base material surface maintained at specified temperature and pressure by microwave surface wave plasma chemical vapor deposition method.

TSUGAWA K, YAMADA T, HASEGAWA M

Device e.g. graphene nanoribbons useful in high speed and low power electronics comprises substrate, and first graphene nanoribbon overlying the substrate, where the first graphene nanoribbon has specific width.

ZHANG Y

Continuous graphene producing and transferring device, has peeling-off device provided with sticking film device and stripping device, and growth substrate recycling device connected with cleaning device and drying device.

JIN H, LIU Z, ZHOU Z, PENG P

Film-forming apparatus for forming graphene film on film-forming target e.g. metallic foil, has roll-to-roll mechanism which provides tensile force relaxation unit that relaxes tensile force applied to transported film-forming target.

KOBAYASHI T, SHIMIZU K, KADONO K, MIZUGUCHI Y, MURAKAMI Y, MIZUKUCHI Y, SUMINO K

Growing multilayer graphene film used to form flexible transparent electrode, comprises disposing carbonizing catalyst in reaction chamber, flowing gaseous carbon source/weak oxidizing vapor over catalyst surface, and cooling.

LOH K P, ZHANG K, CASTRO A H, LOH K

Formation of graphene film used for e.g. electronic device, involves performing reduction process by heating metal film in atmosphere containing hydrogen gas, carrying out graphene film growth process, and cooling.

YOSHII S, NOZAWA K, MATSUKAWA N