国家/地区 中国（409） 美国（407） 韩国（323） 世界知识产权组织（276） 日本（195） 欧洲专利局（EPO）（129） 台湾（84） 印度（25） 德国（24） 英国（21） 西班牙（16） 加拿大（15） 法国（13） 俄罗斯（12） 新加坡（12） 澳大利亚（11） 巴西（9） 墨西哥（9） 香港（5） 土耳其（5）
IPC部 C（915）
IPC大类 C01（915）
IPC小类 C01B（915）
IPC C23C016/26（552） C01B031/04（327） C01B031/02（271）
C01B032/186（261） B82Y040/00（189） B82Y030/00（182）
C01B032/194（141） C23C016/02（123） C01B032/184（104）
C01B032/182（98） C23C016/44（82） C23C016/56（80）
H01L021/02（72） H01B001/04（66） C23C014/06（65）
发明人 HONG B H（20） LI X（20） SHIN H（20）
ZHANG Y（20） SHIN H J（19） MATSUMOTO T（18）
LIU Z（17） LEE J（16） CHOI J（15）
LI Y（15） LI Z（15） IFUKU R（14）
LEE C S（14） LEE S（14） WANG Y（14）
公开年 2021（111） 2013（108） 2022（94） 2012（82） 2017（77） 2014（71） 2015（70） 2016（65） 2018（59） 2020（54） 2011（44） 2023（35） 2019（26） 2010（12） 2009（4）
申请年 2012（103）  2021（98）  2011（82）  2016（80）  2013（77）  2020（77）  2014（68）  2022（68）  2015（56）  2019（56）  2017（54）  2018（37）  2010（35）  2009（16）  2008（3）  2001（2）  2023（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（45） UNIV SUNGKYU.（24） TOKYO ELECTR.（20） SAMSUNG TECH.（19）
SHANGHAI INS.（16） UNIV SUNGKYU.（16） HANWHA TECHW.（15） KOREA INST S.（14）
GRAPHENE SQU.（12） UNIV SUNGKYU.（12） UNIV TSINGHU.（12） HON HAI PREC.（11）
HONGFUJIN PR.（11） UNIV SEOUL N.（11） CHINESE ACAD.（10） KOREA ADVANC.（10）
LEE Y T（9） NAT INST ADV.（9） UNIV CALIFOR.（9） JX NIPPON MI.（8）

Hard mask film used in etching process for manufacturing semiconductor device, comprises first graphene layer, first amorphous carbon layer on first graphene layer, second graphene layer on first amorphous carbon layer, and second amorphous carbon layer on second graphene layer.

KIM Y, OH S, AN S, AHN S J, OH S R, KIM Y U, AN X

Wrinkle flattening unit for flattening wrinkles present in graphene composite structure, has rotation portion that comprises outer rotation unit having multiple suction holes communicating with branch passage and supporting one surface of composite structure.

CHO S M, CHO M G, OH H G, CHO M, OHHONGGI

Battery-powered analyte sensing system used in Three-dimensional (3D) printing techniques, comprises printed battery comprising anode, comprises non-toxic biocompatible metal, first carbon-based current collector in electrical contact with anode and 3D hierarchical mesoporous carbon-based cathode.

CHMIOLA J, SINGH S, LIM S H, COOK D, MONTALVO C, STOWELL M W, LANNING B

Cathode active materials useful for secondary batteries, comprises carbon-based base material, silicon layer formed on carbon-based base material, and graphene provided on outside of silicon layer.

CHAE S

Synthesizing surface of aluminum oxide graphite for high-purity carbon materials, comprises e.g. raising temperature of reactor, placing aluminum oxide nanoparticles in inner center of reactor, and injecting reaction gas into reactor.

KIM C D, NAMKEE S

Graphene processing device for providing low energy injection ion for use in e.g. biological medicine application, has upper electrode net and the lower electrode net through which plasma generated by plasma coil discharge passes so as to process sample located on sample seat in processing chamber.

WANG W, JIANG C, WANG Y, WANG H

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Flexible graphene thin film used for transparent electrode devices, comprises flexible substrate, titanium buffer layer grown on one side of flexible substrate by sputtering and graphene thin film layer grown in-situ in same equipment.

YOON S G, IREH H

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Graphene interconnect structure useful for electronic device comprises first oxide dielectric layer including porous silicon oxide, or amorphous boron nitride, second oxide dielectric layer including aluminum oxide and graphene layer.

KIM C, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S, BAEKWON P, PARK B, LEE C, SHIN K, BYUN K