国家/地区 韩国（59）
IPC部 C（59）
IPC大类 C01（59）
IPC小类 C01B（59）
IPC C30B029/02（37） C01B031/04（31） C01B031/02（27）
B82Y040/00（21） C30B025/18（21） B82Y030/00（19）
C23C016/26（18） C01B032/186（17） C01B032/194（13）
C30B029/64（13） H01L021/02（11） C01B032/184（10）
C30B001/02（10） C30B029/36（10） C01B032/182（9）
发明人 CHOI J Y（4） CHOI J（3） HONG B H（3）
VEERASAMY V（3） VEERASAMY V S（3） YOON S（3）
AHMED M（2） BERRY V（2） CHIBA Y（2）
CHIBA YOSHIHIRO（2） IACOPI F（2） JANG H（2）
KELBER J（2） KIM J（2） LEE D（2）
公开年 2013（8） 2021（8） 2022（7） 2011（6） 2015（6） 2014（5） 2009（4） 2012（3） 2016（3） 2017（3） 2010（2） 2018（2）
申请年 2012（8）  2011（6）  2013（6）  2020（6）  2016（5）  2021（5）  2008（4）  2009（4）  2022（4）  2014（3）  2015（3）  2017（2） 
专利权人 GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） SAMSUNG ELEC.（3）
CENT NAT REC.（2） GRAPHENE SQU.（2） JX NIPPON MI.（2） LG CHEM LTD（2）
MAX PLANCK G.（2） MEMC ELECTRO.（2） NIPPON MININ.（2） SAMSUNG TECH.（2）
SUNEDISON SE.（2） UNIV GRIFFIT.（2） UNIV HANYANG.（2） UNIV KANSAS .（2）
UNIV NORTH T.（2） UNIV SEOUL N.（2） UNIV SUNGKYU.（2） UNIV SYDNEY .（2）

Pellicle used for reticle for extreme-UV exposure, comprises pellicle film through which extreme-UV rays transmit and support frame for supporting pellicle film, where pellicle film comprises multilayer thin film structure.

KIM Y H, KIMYONGHWAN

Hydroxide radical generating system comprises up conversion layer including first up-conversion layer and second up-conversion layer, photocatalyst layer, and photonic crystal layer.

KIMHYEONGIL, IN J H

Graphene composite comprises substrate, first thin film positioned on substrate, and second thin film positioned on first thin film, where first thin film includes graphene and second thin film includes at least any one of vanadium selenide, vanadium disulfide, vanadium ditelluride, tantalum sulfide.

CHOI B K, CHANG Y J, JANG Y

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Upper electrode assembly used in plasma processing apparatus, has heat transfer sheet that is mounted between electrode plate and metal plate and having vertically oriented portion with vertically oriented graphene structures.

TSUJIMOTO H, KOBUNE T, LI L, LEE L, KOBUNEDAKAKI

Producing transition metal chalcogen compound useful in semiconductor devices comprises forming graphene thin film, forming transition metal chalcogen compound on graphene thin film from transition metal precursor and chalcogen precursor.

HOON L S, HONG B H, KIM J W, CHO S P, BAEKWON P, LEE G S, IL J, LIM E H

Tantalum carbide-coated carbon material for e.g., LED manufacturing equipment, comprises a carbon substrate, and a tantalum carbide coating layer formed on the carbon substrate.

JO D W, CAO D, WAN J, CHO D W

Manufacturing monocrystalline graphene for display, secondary battery, solar cell, light-emitting device, catalyst and sensor, involves supplying aromatic carbon gas onto single-crystalline metal catalyst to manufacture graphene.

KIM B J, CHOI J, CHOI J Y, JUN K

Production of transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction composite involves transferring graphene onto flexible substrate, depositing transition metal layer on substrate, and injecting gas containing plasma-treated sulfur.

KIM H U, SEOK H, LEE J, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H

Producing epitaxial structure useful in flexible electronic device comprises providing multilayer graphene layer having through-holes, providing single crystal substrate having graphene layer formed and growing semiconductor structure.

HONG Y, JUNG J S, JUNGJOONSUCK