国家/地区 中国（56） 美国（39） 韩国（30） 世界知识产权组织（27） 日本（23） 欧洲专利局（EPO）（14） 台湾（10） 印度（7） 澳大利亚（5） 加拿大（4） 英国（4） 巴西（3） 德国（3） 法国（2） 俄罗斯（2）
IPC部 C（111）
IPC大类 C01（111）
IPC小类 C01B（111）
IPC C23C016/26（60） C01B032/186（49） C01B032/194（36）
C23C016/02（23） B82Y040/00（18） B82Y030/00（17）
C01B032/184（15） C01B032/198（13） C23C016/44（12）
C23C016/04（11） C23C016/52（11） C23C016/56（10）
C01B032/182（9） C23C016/455（9） H01L021/02（9）
发明人 WANG X（6） LIU Z（4） NAGEL C J（4）
BRODEUR C L（3） BYUN K（3） BYUN K E（3）
HUANG S（3） LEE C（3） LEE C S（3）
LEE E（3） LI C（3） LI L（3）
LI X（3） SHIN H（3） SHIN H J（3）
公开年 2021（111）
申请年 2020（49）  2021（44）  2019（18） 
专利权人 BEIJING GRAP.（4） QUANTUM ELEM.（4） SAMSUNG ELEC.（3） TOKYO ELECTR.（3）
UNIV PEKING（3） BAE SYSTEMS .（2） DAEJOO ELECT.（2） LAM RES CORP（2）
NAT INST ADV.（2） NINGBO INST .（2） PARAGRAF LTD（2） UNIST ULSAN .（2）
UNIV SINGAPO.（2） XI AN SPECIA.（2） YAZAKI CORP（2）

Method for forming film e.g. graphene film on substrate, involves supplying aromatic hydrocarbon gas having functional group, to substrate on which base film is formed, and activating aromatic hydrocarbon gas adsorbed on surface of base film by plasma of reaction gas containing rare gas.

MATSUMOTO T, IFUKU R

Device for preparing graphene by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), has first region of deposition furnace that is provided with overlapped portion, and second polar plate that is connected to grounding end of plasma source.

LIU Z, WU Q, CAO F, WANG X, WANG K, YANG H, PENG H

Multielement co-doped graphene quantum dots for e.g. supercapacitor electrode, comprise element doped by plasma treatment by placing graphene quantum dots doped with other element on moving stage that reciprocates, rotates, or vibrates in horizontal direction to uniformly plasma-treat quantum dots.

SHIM W, SIM Y, KIM J Y, MUN J H, HO J C, KIM S J

Graphene cold wall growth device, has power supply whose two poles pass through two through holes of reaction chamber, where two poles of power supply are connected with upper electrode plate and lower electrode plate.

CHEN Z, JI N, SHEN C, XU S, ZHANG J

Preparing composite powder used for preparing dynamic friction sealing coating, involves grinding chromium oxide powder, grinding ball, adhesive and dispersant in water medium for ball milling and mixing, and performing spray granulation.

HE C, QU D, MA K, YANG Z, NI L, WEN B, LI C

Silicon-based-carbon composite useful in cathode material of lithium secondary battery, comprises core-shell structure, where core includes e.g. silicon and magnesium silicate, and the shell includes first and second carbon layers.

HYUN L J, HUNSOO P, LEE S, HEE L, LIM J

Structure e.g. porous metal-coated structure used for e.g. catalytic application, comprises substrate comprising activated adsorbent material, and metal material deposited on substrate.

PEPIN P, ETHRIDGE K, THOMSON C, HOLBROOK B, ESRIDGE K

Reactor assembly comprises gas inlet, gas outlets, reactor chamber, porous frits having porosity and comprising nanoporous carbon material, reactor head space, reactor assembly lamps, and computer processing unit.

NAGEL C J, BRODEUR C L

Graphene composite film comprises graphene composite film main body comprising carbon nano-tube film substrate, and copper substrate.

MAO J

Formation of two-dimensional silicon carbide used as wide band gap semiconducting material in electronic applications, involves preparing solution comprising silicon carbide particles and solvent, ultrasonically processing solution, and centrifuging to extract two-dimensional silicon carbide.

CHABI S