国家/地区 日本（64）
IPC部 C（64）
IPC大类 C01（64）
IPC小类 C01B（64）
IPC C01B031/02（34） C01B031/04（33） B82Y040/00（27）
B82Y030/00（26） C01B032/182（20） C01B032/184（16）
C07C025/22（14） C01B032/15（12） C01B032/194（12）
C01B031/00（9） C08G061/10（9） B82B003/00（8）
C01B032/18（8） H01L029/786（8） H01L051/05（8）
发明人 MUELLEN K（9） FENG X（8） MULLEN K（8）
SCHWAB M G（7） MILLEN K（6） YAMAGUCHI J（6）
SCHWAB M G S（5） FASEL R（4） RUFFIEUX P（4）
TOUR J（4） TOUR J M（4） CAI J（3）
OGUNI T（3） OTOMO M（3） SCHVAB M G（3）
公开年 2013（11） 2015（10） 2011（7） 2021（6） 2018（5） 2022（5） 2010（4） 2012（4） 2014（4） 2016（2） 2020（2）
申请年 2013（11）  2010（7）  2012（7）  2020（7）  2011（6）  2017（5）  2014（4）  2015（3）  2021（3）  2022（3）  2009（2）  2016（2）  2019（2） 
专利权人 BASF SE（10） FUJITSU LTD（9） MAX PLANCK G.（9） BASF CHINA C.（8）
SEMICONDUCTO.（5） BASF AG（4） UNIV RICE WI.（4） SEKISUI CHEM.（3）
UNIV MANCHES.（3） UNIV RICE WI.（3） BASF SCHWEIZ.（2） EMPA EIDGENO.（2）
HAIYANGWANG .（2） HITACHI MAXE.（2） LIU D（2） NARA INST SC.（2）
NAT INST ADV.（2） OCEANS KING .（2） SEKISUI CHEM.（2） TAOKA CHEM C.（2）

Device used for absorbing and releasing carbon dioxide, comprises electrodes comprising porous composite comprising conductive component and porous component having angstrom-sized or nanometer-sized pores, and containing molecular moiety exhibiting oxidation-reduction activity by electrical response.

SAITO H, SHINJO Y, MIYAMOTO H, YOSHIMURA R, SANO K, SUZUKI A, IMADA T

Production of substituted anthracene compound used as precursor for producing graphene nanoribbons, involves converting amino group and hydrogen atom bonded to carbon atom of anthracene-1,4,5,8-tetramine compound.

YAMAGUCHI J

New graphene nanoribbon used for semiconductor, solar cell, transparent electrode, high-speed transistor and organic electroluminescent device.

ITAMI K, ITO H, MATSUSHIMA K, NAKATSUJI H, UENO R, ISHIDA S, OKUDA S

Precursor used for forming graphene nanoribbon for electronic device, comprises 10-heptacyclo triaconta-tetradecaenyl heptacyclo triaconta-pentadecaene compound.

YAMAGUCHI J

Graphene nanoribbon used for nanoelectronics and optoelectronics applications, comprises benzene-containing compound as repeating unit.

YAMAGUCHI J, HAYASHI H, YAMADA Y

Graphene nanoribbon used as channel for e.g. semiconductor device, is 2,12-bis(anthracen-9-yl)-6,16-dithiapentacycloicosa-1,3,5(9),7,10,12,14,17,19-nonaene-based compound or 2,12-bis(anthracen-9-yl)-6,18-dithiapentacycloicosa-1,3,5(9),7,10,12,14,16,19-nonaene-based compound.

OTOMO M, SATO S, HAYASHI H, YAMADA Y

Coated cathode active material used for slurry for cathode for secondary battery, comprises cathode active material and coating layer comprising coated cathode active material which is derived from phosphorus-containing compound.

HO K P, JIANG Y, DU F, HUEN P, XUAN S, HE J, DUFENGJUAN, HUENPRISCILLA

New ionic organic compound for nano carbon-material dispersion liquid, composite solid and for manufacturing the nanocarbon-material film.

MATSUSAWA Y, KOTOKU H

Graphene nanoribbon used for semiconductor device, comprises semiconductor graphene nanoribbon having width and metallic graphene nanoribbon bonded to one end of semiconductor graphene nanoribbon in length direction and having width larger than width of semiconductor graphene nanoribbon.

YAMAGUCHI J

Manufacture of naphthyl silole compound used for preparing graphene nanoribbons, involves reacting brominated/iodinated biphenyl compound with lanthanoid-and-lithium-containing ate complex, and reacting obtained lanthanoid complex with silyl compound.

ITAMI K, ITO H, MATSUSHIMA K, MURAKAMI K, NAKATSUJI H, ISHIDA S