国家/地区 中国（78） 韩国（50） 美国（50） 世界知识产权组织（32） 日本（11） 台湾（8） 欧洲专利局（EPO）（7） 西班牙（2）
IPC部 C（153）
IPC大类 C23（153）
IPC小类 C23C（153）
IPC C23C016/26（75） C01B031/04（45） C01B031/02（37）
C23C016/44（18） B82Y040/00（17） B82Y030/00（13）
C23C028/00（11） C23C016/02（10） C23C016/455（10）
C23C026/00（10） H01L021/02（10） C01B032/186（9）
C23C014/06（9） C23C016/06（8） C23C016/52（7）
发明人 KIM J S（11） JUNG Y G（10） KIM J K（10）
YOO H J（10） ZHANG L（7） LIU Z（6）
WANG Y（6） LI J（5） LI X（5）
ZHANG X（5） ZHANG Y（5） ZHOU Z（5）
CHEN Z（4） JIN H（4） LI Y（4）
公开年 2014（153）
申请年 2013（72）  2014（50）  2012（31） 
专利权人 POSCO（10） SAMSUNG ELEC.（5） UNIV SUNGKYU.（5） CHANGZHOU ER.（4）
DOKURITSU GY.（3） KOREA ADVANC.（3） KOREA INST M.（3） LG ELECTRONI.（3）
SAMSUNG TECH.（3） SHANGHAI INS.（3） SUZHOU HONGJ.（3） UNIV SHANGHA.（3）
AHN J（2） BLUESTONE GL.（2） CHINESE ACAD.（2） CHINESE ACAD.（2）
DAVIS M A（2） EMPIRE TECHN.（2） GRAPHENE SQU.（2） HANGZHOU GUA.（2）

Manufacture of graphene for electric component, involves forming metal catalytic layer on substrate, introducing cover material on catalytic layer, and growing graphene on catalytic layer by carrying out chemical vapor deposition.

CHO K, BONG H, CHO K W

Manufacture of graphene as base material for electronic circuits, carbon-based electronic device and electromagnetic device, involves forming metal layer on thermal expansion compensation substrate, and forming graphene on metal layer.

CHOI M, KIM T, MOON J, JUNG M, KIM T H

Method for synthesizing graphene thin film using chemical vapor deposition, involves positioning separator material adjacent to or in relationship with substrate to form composite, where composite is winded to provide coiled substrate.

LI X, WU J, NING H

Graphene pattern formation method involves forming DNA pattern, and forming graphene pattern on DNA pattern.

JEONG S, LEE J, PARK I K, PARK J H, PARK S, ROH Y, YEON S

Patterning a graphene in the manufacturing of semiconductor chip, by forming a DNA pattern and forming graphene on pattern, where pattern is formed by forming metal ion pattern on a substrate and adsorbing a DNA structure on ion pattern.

JEONG S, LEE J, PARK I K, PARK J H, PARK S, ROH Y, YEON S

High conducting heat glass fiber blanket manufacturing method, involves arranging glass fiber wool in vacuum pyrolysis furnace, cooling rear fiber at room temperature, and coating composite material of graphene layer on glass fiber.

CHEN Z, SHA L

Method for growing graphene in dielectric material directly, involves cleaning silicon wafer with ethyl alcohol, acetone and deionized water, placing small aromatic molecules in crucible, followed by depositing, annealing and etching.

WANG Q, ZHANG Y, SUN X, ZHUO Q

Graphene useful as an electrode in an electronic device, processed via ion beam treatment method.

KIM S Y, KWON K C

Production of graphene for wiring film of three-dimensional stacked memory, involves decomposing carbon-containing gas with low reactivity in space which opposes substrate, and decomposing carbon-containing gas with high reactivity.

KAGAYA M, MATSUMOTO T, NISHIDE D

Forming system for graphene on substrate, has carbon-containing heating element which heats substrate by controlling feeding of process gas, and transports carbon to substrate surface for graphene growth, to form graphene sheet on substrate.

LI X