国家/地区 美国（43） 世界知识产权组织（27） 中国（23） 欧洲专利局（EPO）（20） 韩国（20） 日本（14） 台湾（8） 印度（5） 加拿大（4） 澳大利亚（3） 西班牙（3） 墨西哥（3） 俄罗斯（3） 巴西（2） 英国（2） 波兰（2） 新加坡（2）
IPC部 B（56）
IPC大类 B82（56） C30（56） C01（46）
H01（28） C23（21） B32（12）
B01（4） B05（4） C03（3）
H05（3） B21（2） B22（2）
C04（2） C09（2） G01（2）
IPC小类 B82Y（56）
IPC B82Y030/00（56）
发明人 VEERASAMY V S（4） JANG B Z（3） VEERASAMY V（3）
XIONG W（3） ZHAMU A（3） CHOI J（2）
LI C（2） LIU H（2） LIU Q（2）
MA S（2） MA T（2） PAN G（2）
SHIN H（2） SIMON S M（2） SUN G（2）
公开年 2013（12） 2014（7） 2011（6） 2012（6） 2018（5） 2017（4） 2021（4） 2016（3） 2009（2） 2015（2）
申请年 2012（10）  2013（10）  2011（6）  2014（5）  2016（5）  2009（3）  2017（3）  2020（3）  2021（3）  2008（2）  2015（2）  2018（2） 
专利权人 GUARDIAN IND.（4） GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） NANOTEK INST.（3）
EMPIRE TECHN.（2） JANG B Z（2） LOCKHEED MAR.（2） SAMSUNG ELEC.（2）
SAMSUNG TECH.（2） UNIV BEIJING.（2） UNIV BEIJING.（2） WANG H（2）
XIONG W（2） ZHAMU A（2） ZHANG K（2）

Method for preparing micro-nano materials comprise e.g. introducing sacrificial carrier into slurry containing raw materials and auxiliary agents, shaping and drying to form mixture, synthesizing preform to prepare porous body made of micro-nano materials, and performing dispersion operation.

LI Q

Preparing high-quality third-fifth compound substrate used in photoelectronic device, photoelectric integration, ultra-high-speed microelectronic device, involves providing third group metal-organic source mixed precursor.

WANG G, YAN Q

Manufacturing of graphene nanofibers from cotton sources, involves soaking cotton fiber and cotton rope in ethyl alcohol and isopropyl alcohol to develop rapid carbon skeleton and flexibility within graphene nanofibers, and placing alcohol.

PANDEY S, KARAKOTI M, DHALI S, KARKI N, SAHOO N G

Formation of two-dimensional silicon carbide used as wide band gap semiconducting material in electronic applications, involves preparing solution comprising silicon carbide particles and solvent, ultrasonically processing solution, and centrifuging to extract two-dimensional silicon carbide.

CHABI S

Making bilayer graphene domain used to make optoelectronic devices, comprises e.g. dissolving decaborane into phenyl methyl ether, and coating obtained decaborane/phenyl methyl ether solution to cleaned metal foil/film layer.

LING D, LIU J, WEI D, ZHANG Q, HE X

Composition of article used for solar cell, comprises sapphire, silicon, gallium oxide or specific group semiconductor substrate, and intermediate specific group semiconductor layer, graphene layer, holes, and nanowires or nanopyramids.

MUNSHI M, WEMAN H, DHEERAJ D L, FIMLAND B M, VIGEN L, BARRIET D, PIMLANDBJOERNOBEEM, WIGGENREIDULPH, DAVID B

Growing zinc vanadate oxide/graphene-single-walled carbon nanotubes material with ionic liquid assisted in-situ composite specific crystal surface in zinc ion battery comprises e.g. compounding zinc vanadate oxide nanowire and assembling.

SUN Y, LI C, JIN Y, FU J, WU H

Manufacture of graphene-based device used for e.g. gas sensor, involves providing graphene assembly, transferring graphene assembly to substrate, using photolithography and removing UV barrier layer and photoresist layer.

MIGLIORATO M, KUMAR R, MONTEVERDE U

Manufacturing multilayer graphene e.g. suspended or deposited multilayer graphene used for device e.g. sensor involves depositing graphene monolayer having protective layer on top on sample containing another graphene monolayer.

ZURUTUZA ELORZA A, CENTENO PEREZ A, PESQUERA RODRIGUES A, ZURUTUZA E A, CENTENO P A, PESQUERA R A

Composition of matter used as hydrogen storage material, comprises transition metal doped magnesium nanocrystal encapsulated with reduced graphene oxide.

URBAN J J, RUMINSKI A M, CHO E S, BARDHAN R, BRAND A, WOOD B C, HEO T W, SHEA P T, KANG S Y, ZHOU X