国家/地区 中国（50） 美国（36） 世界知识产权组织（28） 日本（24） 韩国（19） 欧洲专利局（EPO）（16） 英国（6） 台湾（6） 印度（3） 西班牙（2） 法国（2） 波兰（2） 俄罗斯（2） 新加坡（2）
IPC部 C（87）
IPC大类 C23（87）
IPC小类 C23C（87）
IPC C23C016/26（87）
发明人 ZHANG Y（10） LEI T（5） WANG H（5）
ZHANG K（5） AIDA H（4） AOTA N（4）
DENG P（4） GUO H（4） XIE X（4）
BI H（3） DING G（3） DIXON S（3）
GUINEY I（3） HAO Y（3） LI Z（3）
公开年 2012（12） 2022（11） 2013（10） 2016（10） 2017（10） 2015（6） 2011（5） 2021（5） 2014（4） 2020（4） 2018（3） 2023（3） 2009（2）
申请年 2012（14）  2016（13）  2021（8）  2022（8）  2011（7）  2013（7）  2014（7）  2015（7）  2020（5）  2017（4）  2008（2）  2009（2） 
专利权人 UNIV XIDIAN（7） NAMIKI SEIMI.（4） SHANGHAI INS.（4） PARAGRAF LTD（3）
CENT NAT REC.（2） CHINESE ACAD.（2） CHINESE ACAD.（2） CHONGQING GR.（2）
DOKURITSU GY.（2） ECOLE POLYTE.（2） NAT INST ADV.（2） UNIV SINGAPO.（2）
WUXI GEFEI E.（2） ZHANG K（2） ZHANG Y（2）

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Electrical connection component for e.g. electric contact, comprises base material and nanocarbon material film composed of graphene laminated material formed by laminating two layers of graphene single layer materials.

KITANO A, SHIMIZU T, KUBO T

Preparing metal/graphene/polycrystalline diamond film particle detector used in field of nuclear physics, comprises depositing layer of graphene on surface of patterned metal substrate as ohmic contact electrode layer and growing diamond film in situ on graphene, where metal substrate is copper foil.

XIONG Y, WANG B

Preparing single crystal domain and polycrystalline domain graphene useful in technical field of basic research and graphene, comprises heating graphene film under an air atmosphere and annealing.

ZHENG Q, MA M, HUANG J, YU Z, HE Y

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Preparing single crystal substrate comprises forming gallium nitride porous layer on surface of sapphire substrate, depositing barrier layer e.g. silica to cover top surface of the porous layer, removing barrier layer, performing epitaxial growth of single crystal layer and separating.

LU J

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Transferring two-dimensional material by using higher fatty alcohol or higher fatty acid, comprises e.g. spin-coating to obtain higher fatty alcohol or fatty acid/two-dimensional material/substrate complex and obtaining higher aliphatic alcohol or fatty acid/two-dimensional material complex.

CHENG H, XU C, ZHOU T, REN W