国家/地区 日本（63）
IPC部 C（63）
IPC大类 C30（63） C01（56） C23（37）
H01（32） B82（20） B32（13）
B01（12） C22（4） H05（4）
B05（3） C04（3） B21（2）
C25（2） D01（2）
IPC小类 C30B（63）
IPC C30B029/02（42） C01B031/02（29） C23C016/26（24）
C01B031/04（20） B82Y040/00（19） C30B025/18（18）
C30B029/64（17） C01B032/186（16） B82Y030/00（14）
C01B032/182（14） H01L021/02（12） H01L021/20（11）
H01L021/205（11） C23C016/02（10） C01B032/194（9）
发明人 AIDA H（4） AOTA N（4） VEERASAMY V（3）
VEERASAMY V S（3） BERRY V（2） CHIBA Y（2）
CHIBA YOSHIHIRO（2） FAN F Y（2） FAN S（2）
FIMLAND B M（2） GI Y（2） HAN J（2）
HAYASHI K（2） KIM J（2） KONDO O（2）
公开年 2013（9） 2017（9） 2021（9） 2011（7） 2014（6） 2022（6） 2015（4） 2012（3） 2009（2） 2010（2） 2016（2） 2023（2）
申请年 2012（8）  2016（8）  2020（8）  2013（6）  2021（6）  2009（5）  2011（5）  2010（3）  2014（3）  2022（3）  2008（2）  2015（2）  2017（2） 
专利权人 NAMIKI SEIMI.（5） DOKURITSU GY.（3） FUJITSU LTD（3） GUARDIAN GLA.（3）
GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） CENT NAT REC.（2） CRAYONANO AS（2）
HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） JX NIPPON MI.（2） LOCKHEED MAR.（2）
MAX PLANCK G.（2） MEMC ELECTRO.（2） NAT INST ADV.（2） NIPPON MININ.（2）
SHANGHAI INS.（2） SUNEDISON SE.（2） TOKYO ELECTR.（2） UNIV KANSAS .（2）

Producing multilayer graphene, involves synthesizing multilayer graphene from carbon source using iron-chromium alloy film as catalyst.

HAYASHI K, KONDO O

Electrical connection component for e.g. electric contact, comprises base material and nanocarbon material film composed of graphene laminated material formed by laminating two layers of graphene single layer materials.

KITANO A, SHIMIZU T, KUBO T

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Graphene element used as field effect transistor having top gate structure, comprises boron nitride layer having turbostratic structure, and graphene layer in contact with boron nitride layer.

KONDO O

Upper electrode assembly used in plasma processing apparatus, has heat transfer sheet that is mounted between electrode plate and metal plate and having vertically oriented portion with vertically oriented graphene structures.

TSUJIMOTO H, KOBUNE T, LI L, LEE L, KOBUNEDAKAKI

Metal catalyst layer used for producing graphene, laminated and crystallized on c-plane of substrate having corundum structure, having face-centered cubic structure.

NARUTSUKA S, NAKAJIMA R

Film formation method involves forming metal film on silicon-containing film of substrate, forming a graphene film on metal film, where metal film is silicided by heating metal film, and continuously performing film forming process.

UEDA H, WADA M, ZHEN

Tantalum carbide-coated carbon material for e.g., LED manufacturing equipment, comprises a carbon substrate, and a tantalum carbide coating layer formed on the carbon substrate.

JO D W, CAO D, WAN J, CHO D W

Manufacturing semiconductor by forming mask layer which covers substrate, laminating graphene layer on surface of substrate, and making surface of graphene layer crystal-grow a semiconductor crystal.

NARUTSUKA S

Sp2-sp3 hybrid crystalline boron nitride has basic structural unit composed of sp2 hybridized graphite-like structural unit and sp3 hybridized diamond-like structural unit, where the two types of units are connected via coherent interface.

ZHAO Z, LUO K, SUN L, LIU B, HU W, HE J, YU D, TIAN Y, XU B, LIU Z, ZHAO Z S, HU W T, HE J L, YU D L, TIAN Y J, LIU Z Y