国家/地区 美国（49） 韩国（37） 日本（28） 世界知识产权组织（25） 中国（23） 欧洲专利局（EPO）（13） 台湾（13） 德国（5） 印度（5） 俄罗斯（5） 墨西哥（4） 巴西（2） 加拿大（2）
IPC部 C（63）
IPC大类 C01（63）
IPC小类 C01B（63）
IPC C01B031/02（63）
发明人 HONG B H（7） AHN J（5） AHN J H（4）
HONG B（4） BAE S K（3） CHOI J Y（3）
FAN F Y（3） FAN S（3） JIANG K（3）
LIN X（3） LIN X Y（3） LIU Z（3）
MARTENS R I（3） SHIN H J（3） VEERASAMY V（3）
公开年 2012（19） 2013（15） 2011（12） 2014（6） 2015（5） 2010（2） 2016（2）
申请年 2011（23）  2012（14）  2010（7）  2013（6）  2014（6）  2009（4）  2015（2） 
专利权人 SAMSUNG TECH.（7） HANWHA TECHW.（6） SAMSUNG ELEC.（5） GRAPHENE SQU.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） UNIV SUNGKYU.（4） GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3）
GUARDIAN IND.（3） HANWHA AEROS.（3） HON HAI PREC.（3） HONGFUJIN PR.（3）
KOREA ADVANC.（3） TE CONNECTIV.（3） TYCO ELECTRO.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
UNIV TSINGHU.（3） INT BUSINESS.（2） KOREA ADV IN.（2） MAAROUF A（2）

Producing highly conducting film of highly oriented conductor-bonded graphene sheets, useful in thermal management device, comprises e.g. preparing graphene dispersion having discrete graphene sheets dispersed in fluid medium.

ZHAMU A, JANG B Z

Composite structure of graphene and carbon nanotube configured in a three-dimensional form used in electrodes, comprises graphene platelets, metal particles coated on graphene platelets, and carbon nanotubes formed on metal particles.

WU M Y, HSIEH C, PENG C, WU Y, XIE C, HSIEH C Y, PENG C S

Manufacturing method of graphene laminated structure, involves setting film thickness of iron carbide film more than thickness of boron nitride layer.

OSHIMA H

Manufacture of graphene film used for e.g. semiconductor, involves arranging substrate, providing metallic catalytic material and reducing gas, raising temperature, providing carbon-containing gas, and generating carbon atoms.

YEN W, CHUEH Y, YEN W C, CHUEH Y L

Manufacturing method of graphene film used in e.g. electronic device, photo-electronic device involves growing nano graphenes on insulating substrate by pyrolyzing carbon source included in reactive gas, without using metal catalyst.

SONG Y W, PARK J H

Usage of cellulosic polymer for preparing graphene ink composition for forming composite, involves concentrating exfoliated graphene by contacting exfoliated graphene medium with aqueous medium in graphene and cellulosic polymer.

HERSAM M C, LIANG Y T, SECOR E B, PRABHUMIRASHI P L, PUNTAMBEKAR K P, GEIER M L

Manufacturing method for graphene transparent conductive film involves making graphene grow on base-material surface by performing plasma processing using hydrogen gas in bottom of pressure reduction in heated state.

HASEGAWA M, KATO R, TSUGAWA K, ISHIHARA M, OKIKAWA Y, YAMADA T

Formation of graphene layer on substrate used for semiconductor device, involves forming carbon source layer and metal catalyst layer on substrate, converting carbon source layer into graphene layer and removing metal catalyst layer.

BAEK J, JEON S, LEE J, BAEK J W, JEON S W, LEE J S

Manufacture of graphene as base material for electronic circuits, carbon-based electronic device and electromagnetic device, involves forming metal layer on thermal expansion compensation substrate, and forming graphene on metal layer.

CHOI M, KIM T, MOON J, JUNG M, KIM T H

Board for forming graphene layer, comprises board layer; metal catalyst layer disposed on the board layer and functioning as a catalyst for forming the graphene layer; and stress reduction layer to reduce stress of the metal catalyst layer.

CHO B J, MUN J H