国家/地区 美国（108）
IPC部 B（76） H（75） C（70）
G（12） D（7） A（3）
F（2）
IPC大类 H01（72） C01（53） B82（43）
B32（33） B05（25） C08（14）
C23（13） B29（11） C09（9）
B01（8） D01（6） H05（6）
B44（5） G01（5） C04（4）
IPC小类 C01B（53） H01L（46） B82Y（39）
B32B（33） B05D（25） H01B（23）
H01M（13） B29C（11） B82B（11）
C08K（11） C08L（10） C23C（9）
B01J（8） D01F（6） B44C（5）
IPC C01B031/04（43） C01B031/02（29） B82Y040/00（28）
B82Y030/00（25） H01B001/04（16） B32B009/00（15）
C01B031/00（15） H01L029/16（14） H01L029/786（12）
B82B003/00（10） C08K003/04（10） H01B001/24（10）
H01L021/20（10） B05D005/12（9） B05D003/02（8）
发明人 JANG B Z（9） ZHAMU A（9） AKSAY I A（5）
LEE J（5） LEE S（4） LETTOW J S（4）
OKAI M（4） CHEN A（3） CHOI J（3）
HIROOKA M（3） JAVAHERIAN N（3） KOSYNKIN D V（3）
KRIVOKAPIC Z（3） REDMOND K（3） SHI J（3）
公开年 2010（108）
申请年 2009（50）  2010（32）  2008（26） 
专利权人 JANG B Z（9） ZHAMU A（9） NANOTEK INST.（6） SAMSUNG ELEC.（6）
AKSAY I A（5） VORBECK MATE.（5） HITACHI LTD（4） INT BUSINESS.（4）
KOREA INST S.（4） LETTOW J S（4） ADVANCED MIC.（3） COMMISSARIAT.（3）
JAVAHERIAN N（3） KORDSA GLOBA.（3） OKAI M（3） REDMOND K（3）
SHI J（3） UNIV RICE WI.（3） UNIV TEXAS S.（3） YILDIRIM I O（3）

Electronic device comprises porous graphene layer including graphene nanoribbon and electrically connecting two graphene electrodes.

KAERKKAEINEN A M, HAQUE S M, COLLI A, PASANEN P M, JOHANNES K L M, UUSITALO M A, LEHTINIEMI R K, KARKKAAINEN A M, HAQUE S, KARKKAINEN L M J, KARKKAINEN L, UUSITALO M, LEHTINIEMI R, KARKKAINEN L M Y, KAERKKAEINEN L M J

Graphite structure of electronic component e.g. thermoelectric conversion element, has domains that are formed by laminated structure of graphene sheet that are arranged in plane, such that adjacent domains are connected.

KONDO D, SATO S, IWAI T

Releasing graphene layer from substrate, comprises forming graphene layer on surface of first substrate, forming metal layer on a surface of graphene layer and applying a pulling force on the metal layer to detach graphene layer.

OGIHARA M, SAGIMORI T, SAKUTA M, HASHIMOTO A, TANAKA S, OGIWARA M, MITSUHIKO O, TOMOHIKO S, MASAAKI S, AKIHIRO H

Separating nitride semiconductor layer from substrate to manufacture nitride semiconductor device and wafer, by growing graphene layer in form of single layer/layers on surface of substrate and forming semiconductor layer on graphene layer.

OGIHARA M, SAGIMORI T, SAKUTA M, HASHIMOTO A, OGIWARA M, WASHIMORI T, MITSUHIKO O, TOMOHIKO S, MASAAKI S, AKIHIRO H

Creating layers of graphene, comprises implanting carbon atoms into a substrate at first temperature and lowering temperature of the substrate, so that the carbon atoms diffuse from substrate.

RAMAPPA D A, SULLIVAN P, RAMAPPA D

Graphene nanoribbons preparation for electronic device comprises exposing carbon nanotubes to alkali metal source in the absence of solvent, and adding electrophile to form functionalized graphene nanoribbons.

TOUR J M, KOSYNKIN D V, TOUR J, KOSYNKIN D

Manufacture of graphene-containing composition used for modification of material, involves mixing graphene oxide with medium containing solid or precursor, obtaining mixture and heating at specified temperature.

KRANBUEHL D, COTTS S, SCHNIEPP H C, CAI M, GLOVER A J

Method for forming thin coating dielectric material on surface of carbon-based material e.g. graphene, involves forming ultra thin silicon nucleation layer of specific thickness on portion of surface of carbon-based material.

BABICH K, CALLEGARI A, CHEN Z, KIEWRA E, SUN Y

Synthesis of graphene sheet, e.g. used in electronic devices, comprises passing liquid ethanol droplets through plasma field, and collecting solid matter.

DATO A, FRENKLACH M, RADMILOVIC V, LEE Z

Transparent conductive film for forming transparent conductive film-on-substrate for electronic device e.g. flat panel display device or photovoltaic cell comprises graphene platelets overlapping one another to form multilayer structure.

OKAI M, HIROOKA M