国家/地区 韩国（33） 美国（30） 中国（7） 日本（6） 欧洲专利局（EPO）（4）
IPC部 H（32） B（25） C（18）
G（5）
IPC大类 H01（30） B82（24） C01（14）
B32（12） C23（5） B01（4）
B05（4） G01（2） G02（2）
H05（2）
IPC小类 H01L（27） B82Y（23） C01B（14）
B32B（12） H01B（10） C23C（5）
B05D（4） B01J（3） B82B（3）
G02F（2） H05B（2）
IPC B82Y030/00（17） B82Y040/00（13） C01B031/02（10）
H01L029/78（10） B82Y099/00（9） H01B001/04（9）
H01L021/336（9） H01L029/786（8） H01L029/06（7）
H01L029/16（7） B32B009/00（6） C01B031/04（6）
H01L029/10（6） C23C016/26（5） H01L021/20（5）
发明人 CHOI J（11） CHUNG H J（11） SHIN H（11）
CHOI J Y（10） SHIN H J（10） CHUNG H（9）
LEE S（9） SEO S（9） HEO J S（8）
LEE S H（8） SEO S A（8） HEO J（7）
YANG H（7） YANG H J（7） YOON S（7）
公开年 2012（38）
申请年 2011（22）  2012（10）  2010（6） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（38）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene-on-substrate, useful as transparent electrode of e.g. transistor, comprises substrate, first intermediate layer disposed on substrate, graphene disposed on first layer, and second intermediate layer disposed on graphene.

WOO Y, CHOI J, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M

Graphene electronic device e.g. FET, has graphene channel layer formed on gate insulating layer, source electrode formed on end of graphene channel layer, and drain electrode formed on another end of graphene channel layer.

SONG H, CHO B, SEO S, SHIN W, SONG H J, CHO B J, SEO S A, SHIN W C, SONG C, SIN W

Ferromagnetic graphene for spin valve device, comprises ferromagnetic graphene having ferromagnetic characteristics and antidote(s) in ferromagnetic graphene.

LEE S, LEE S H

Light emitting device, has semiconductor layer arranged on substrate, active layer arranged on semiconductor layer, graphene pattern layer arranged on active layer, and polymer pattern layer arranged on graphene pattern layer.

GYUN G B, HO Y D, SANG L M, SU P S, PARK S S, YOON D H, LEE M S, KANG B K

Method of growing graphene involves injecting carbon on inorganic substrate, forming graphite catalyst layer on carbon-injected inorganic substrate, forming multilayer board on substrate and growing graphene on multilayer board.

YOON S M, CHOI J Y, WOO Y S, SHIN H J, LEE S K

Making crystalline graphene, used e.g. in electronic device, comprises e.g. performing first thermal treatment by supplying heat to inorganic substrate, and introducing vapor carbon supply source into reactor during first thermal treatment.

SHIN H, CHOI J, WOO Y, YOON S, SHIN H J, CHOI J Y, WOO Y S, YOON S M

Forming multi-layer graphene involves forming stack of graphitizing metal catalyst layer and graphene by repeatedly forming the catalyst layer on substrate, and forming graphene on the catalyst layer; and removing the metal catalyst layer.

WOO Y, CHOI J, CHOI W, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, CHOI W M, SHIN H J, YOON S M

Graphene quantum dot for light-emitting structure of semiconductor light emitting device, comprises graphene core having functional group adhered to edge portion of graphene and shell chemically combined with functional group.

HWANG S W, YOO K H, KO G W, CHUNG H J, SONE C S