国家/地区 台湾（42）
IPC部 C（29） H（27） B（15）
G（4） D（3）
IPC大类 H01（26） C01（24） C09（10）
B01（7） C23（7） B82（5）
C08（5） B32（3） D01（3）
G03（3） B05（2） C03（2）
D04（2） H05（2）
IPC小类 C01B（24） H01L（17） H01B（8）
C23C（7） B82Y（5） C09C（5）
C09D（5） H01M（5） C08K（4）
H01G（4） B01D（3） B01F（3）
B32B（3） C09K（3） D01D（3）
IPC C01B031/04（10） C01B032/182（7） C01B032/194（7）
C09C001/46（5） H01L021/336（5） H01L029/16（5）
H01L029/78（5） B82Y030/00（4） B82Y040/00（4）
C01B032/15（4） C01B032/18（4） C01B032/192（4）
C08K003/04（4） C23C016/26（4） H01G011/36（4）
发明人 XIAO D（6） HSU C（4） HUANG K（4）
KAWASAKI M（4） TAMAKI E（4） CHANG R（3）
CHOU S（3） CHOU S H（3） CHOU W（3）
CHOU W T（3） HSU C Y（3） HUANG K S（3）
LAI M（3） LAI M Y（3） LIN Z（3）
公开年 2017（42）
申请年 2016（42）
专利权人 ZING SEMICON.（6） TORAY IND IN.（4） ACELON CHEM .（3） ENERAGE INC（2）
IND TECHNOLO.（2） JULI NANO TE.（2） TAIWAN SEMIC.（2） UNIV CALIFOR.（2）
UNIV CHUNG Y.（2）

Thermally conductive composition of graphene used as thermal paste for high wattage LED substrate.

HSU C, CHANG C

Anti-corrosion composite layer used for protecting metal building materials, comprises anti-corrosion coatings, graphene nanosheets and carrier resins, on substrate in preset order.

WU M Y, HSIEH C, LEE C, CHEN J, HSIEH S, WU Y, XIE C, LI J, XIE S, HSIEH C Y, LEE C H, CHEN J R, HSIEH S L

Method for manufacturing independent dual-gate graphene FET, involves forming germanium silicide epitaxial layer on silicon substrate, implanting carbon ions into silicon substrate, followed by thermally annealing.

XIAO D

Production method and device for composite of graphene and styrene monomer achieving the extremely high economic benefit for production through ultrasonic irradiation, inlaying and intercalation processes.

SUN T, YAO P

Preparation method of nitrogen-doped graphene involves providing plasma electrolytic apparatus.

WEI K, YEN P

Manufacturing method of coating quantum dot of graphene on solar cell increases carrier concentration of the solar cell so as to further increase photoelectric conversion efficiency of the solar cell.

SHEN Z, LIN Z

Fabrication method for casting graphene quantum dot on nitride semiconductor LED, involves casting graphene quantum dot solution on LED, and standing still for evaporating ethanol, and forming graphene-quantum-dot-cast layer on LED surface.

SHEN J, LIN T, SHEN Z, LIN Z

Micro-electronic structure e.g. double gate FET has graphene layer and substrate that are separated by first insulating layer, while specific electrode and graphene layer are separated by second insulating layer.

XIAO D

Microelectronic structure, has substrate formed with multiple microelectronic assembly, and insulating layer formed between electrode and graphene layer, where insulating layer includes multiple isolation layers defining range of assembly.

XIAO D, ZHANG R, CHANG R

Method for transferring graphene sheet from copper substrate to functional substrate, involves submerging functional substrate in floating bath, and decreasing fluid level of floating bath to lower graphene sheet onto substrate.

HEISE S E, BEDWORTH P V, SWETT J L, SINTON S W