国家/地区 中国（196） 美国（55） 世界知识产权组织（35） 韩国（32） 日本（29） 欧洲专利局（EPO）（18） 台湾（9） 澳大利亚（4） 新加坡（4） 加拿大（3） 波兰（3） 巴西（2） 德国（2） 墨西哥（2）
IPC部 C（263）
IPC大类 C23（263） C01（74） H01（58）
C25（22） B22（20） B82（19）
C22（15） C30（12） C09（11）
B32（10） C08（10） B01（9）
H05（9） C03（8） E05（7）
IPC小类 C23C（263）
IPC C23C016/26（115） C23C016/02（28） C01B031/04（27）
C01B032/182（27） C23C004/06（26） C01B032/186（25）
C23C016/44（24） C23C004/134（23） C23C016/455（21）
C23C028/00（18） C01B032/194（17） C23C014/06（17）
H01L021/02（17） C23C016/01（16） C23C016/56（16）
发明人 ZHANG D（23） ZHANG H（19） LI Z（14）
ZHANG Y（14） GAO J（11） WANG C（11）
ZHOU Z（11） CUI Y（10） GUO M（10）
LI X（10） TANG Z（10） TIAN H（10）
CHEN Z（9） LIU X（9） SHI H（9）
公开年 2017（263）
申请年 2016（137）  2017（102）  2015（22） 
专利权人 WUXI MINGSHE.（21） AECC BEIJING.（8） SHANGHAI INS.（8） CHONGQING GR.（7）
NAMIKI SEIMI.（5） CORNING INC（4） UNIV HUAZHON.（4） HUNAN JINYU .（3）
INST MECHANI.（3） JANG B Z（3） KOREA ELECTR.（3） NANOTEK INST.（3）
SHANGHAI INS.（3） TOKYO ELECTR.（3） UNIV INJE IN.（3） UNIV KUNMING.（3）
UNIV SOUTHEA.（3） UNIV TAIYUAN.（3） WUHU SANGLEJ.（3） ZHAMU A（3）

Preparing large size and high quality graphene based on self-limiting nucleation growth comprises e.g. polishing the copper foil, depositing and covering with nickel metal, adding the covered nickel metal copper foil into growth chamber.

ZHANG A, YANG M, CHEN J, ZHAO Y, WEI W, ZHANG X

Preparation of bonded silver wire with graphene film involves adding trace metal elements to silver, vacuum melting, casting silver alloy bar, drawing wire, annealing, configuring using graphene oxide and ascorbic acid solutions, and drying.

JIN P, LU Z, TIAN S

Composite film comprises aluminum foil substrate, graphene coating, zinc oxide nano-wall array with honeycomb structure and rod shape and silver-plated layer that is prepared by spin-coating and annealing reduction.

CHEN D

Processing preservative composition comprises treating the surface of preservative and carrying out phosphating pretreatment to form a phosphate film and preserving surface of phosphating film and coating with a graphene antiseptic material.

WANG J, DAI P

Surface modification of abutment involves soaking alkali-treated abutment in 3-aminopropyl trimethoxysilane, ultrasonically reacting, soaking in graphene oxide, drying and soaking in minocycline hydrochloride.

QIAN W, QIU J, LIU X, SU J

Preparation of silver/graphene/zinc oxide composite material used for degrading of formaldehyde, involves adding zinc nitrate solution to sodium hydroxide solution, filtering precipitate, washing, drying and calcining dried precipitate.

MA L

Graphene boundary control method comprises providing an insulating substrate, placing in a growth chamber, introducing first reaction gas and controlling the flowrate of first reaction gas.

WANG H, CHEN L, HE L, XIE H, WANG X, XIE X

Graphene composite electrode used for manufacturing electrochromic device, consists of graphene layer, atomic layer formed on graphene layer, and transparent conductive layer formed on atomic layer.

KIM H K, KIM Y K, HAN S H, LEE S J, SEO J W

Manufacture of electrochromic device used as e.g. smart window, involves growing graphene on substrate, performing atomic layer deposition process on graphene layer, forming atomic layer, and forming conductive layer on atomic layer.

KIM H K, KIM Y K, HAN S H, LEE S J, SEO J W

Apparatus for producing transition metal dichalcogenide (TMD) transistor arrays of electronic device, has single-layer transition metal dichalcogenide formed only on substrate and lateral edges of monolayer graphene film.

PARK J, GAO H, GUIMARAES M H D, RALPH D C, KANG K, XIE S