国家/地区 欧洲专利局（EPO）（159）
IPC部 C（99） H（79） B（74）
G（39） A（13） D（6）
F（6） E（4）
IPC大类 C01（79） H01（74） B82（34）
B01（32） G01（23） C23（19）
C08（18） B32（17） C09（16）
A61（10） C25（7） G06（7）
H05（6） C30（5） C02（4）
IPC小类 C01B（78） H01L（38） B82Y（33）
H01M（22） B01J（19） C23C（18）
G01N（18） B32B（17） H01B（17）
C08K（14） B01D（13） H01G（10）
C08J（9） C08L（8） B01F（6）
IPC C01B032/194（31） C01B031/04（30） C01B032/182（30）
B82Y030/00（27） B82Y040/00（21） H01L029/16（21）
C01B032/184（18） H01L021/02（17） C01B032/198（16）
C01B032/186（15） H01M004/62（15） C23C016/26（12）
B32B009/00（11） C08K003/04（11） B01D071/02（10）
发明人 BEDWORTH P V（6） KAWASAKI M（6） SWETT J L（6）
TAMAKI E（6） ALLEN M（5） NAWROCKI P（5）
GOLDSMITH B（4） HEISE S E（4） PAN D（4）
SIMON S M（4） WANG P（4） BOESEN P V（3）
HARRIS N（3） KITAHARA I（3） KUNDU K（3）
公开年 2017（159）
申请年 2016（90）  2017（45）  2015（24） 
专利权人 NOKIA TECHNO.（9） SAMSUNG ELEC.（8） LOCKHEED MAR.（7） TORAY IND IN.（7）
NAWROCKI P（5） LG CHEM LTD（4） LOCKHEED COR.（4） NANOMEDICAL .（4）
UNIV CALIFOR.（4） BRAGI GMBH（3） ECOLAB USA I.（3） FRAUNHOFER G.（3）
LG CHEM CO L.（3） MASSACHUSETT.（3） NITTO DENKO .（3） ZHENG S（3）
BANDLA S（2） CONSIGLIO NA.（2） ETH ZUERICH（2） GOOGLE INC（2）

Photomask pellicle for protecting photomask in exposure process using light including extreme UV (EUV), has nanocrystalline graphene that comprises nanocrystalline crystal grains and grains comprise two dimensional carbon structure.

SHIN H J, SONG H J, PARK S J, SHIN K W, LEE C S, SHIN H, SONG H, PARK S, SHIN K, LEE C

Method for designing production process for producing workpiece, involves providing signal connection of statements for production modules, and representing processing concept by graphene, which comprises edges and knots.

ALBRECHT S, FEITEN W

Apparatus for sensing electromagnetic radiation using graphene, has sensor arranged to detect electromagnetic radiation, where reflective surface is arranged to reflect electromagnetic radiation that is passed through substrate onto sensor.

ALLEN M, HARRIS N

Patterning method for graphene involves depositing photoresist layer on metal layer, and etching pattern on photoresist layer to expose metal layer.

PAN D, GOLDSMITH B

FET e.g. graphene based FET, for use in implants, has polar fluid induced gate terminal created by polar fluid, where polar fluid includes charge concentration sufficient to induce polar fluid gate voltage that optimizes gate voltage.

GALAND A, GUDIBANDE R R, RADHAKRISHNAN S, VORA M

Method for transferring graphene from surface of substrate to other substrate, involves affixing growth substrate onto surface of transitory substrate, delaminating graphene layer from substrate, and transferring layer onto target surface.

LERNER M, PAN D, GOLDSMITH B, AFSAHI S J

Method for providing temporary layer on graphene sheet, involves depositing metal layer to first surface of graphene sheet and removing metal layer.

PAN D, GOLDSMITH B

Method for producing graphene well on graphene sheet, involves depositing first metal layer on top of graphene sheet, depositing passivation layer on top of first metal layer, and depositing photoresist layer on top of passivation layer.

PAN D, GOLDSMITH B, LERNER M

Forming method for apparatus comprising perovskite e.g. graphene FET (GFET), involves using same etchant to remove sections of patterned photoresist material and perovskite underneath sections of photoresist material.

BESSONOV A

Composition for inhibiting and monitoring corrosion of metal surface contacted with produced water, comprises graphene quantum dot, and residue of corrosion inhibiting compound covalently bonded to graphene quantum dot.

MOLONEY J, KUNDU K