国家/地区 中国（118） 美国（55） 世界知识产权组织（49） 韩国（34） 台湾（31） 日本（24） 印度（14） 欧洲专利局（EPO）（12） 英国（5） 德国（4）
IPC部 C（222）
IPC大类 H01（222） C01（85） C09（62）
C23（58） C08（32） B82（30）
C30（24） H05（22） C07（15）
C04（11） G01（11） A61（8）
B01（8） B32（7） C22（7）
IPC小类 H01L（222）
IPC H01L021/02（39） C01B032/182（28） H01L023/373（26）
C01B032/186（23） C23C016/26（23） B82Y040/00（22）
B82Y030/00（20） C01B032/194（18） H01L029/16（18）
H01L051/00（14） H01L051/42（14） C01B032/184（13）
C08K003/04（12） C30B025/18（12） H01L021/768（12）
发明人 WANG H（8） WANG J（8） ZHANG W（7）
LI X（6） SHIN H（6） GUINEY I（5）
LI C（5） LI P（5） SHIN H J（5）
WANG X（5） WANG Y（5） XU J（5）
ZHANG D（5） ZHANG J（5） ZHANG Y（5）
公开年 2022（222）
申请年 2021（101）  2022（95）  2020（26） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（8） FUJITSU LTD（6） TOKYO ELECTR.（6） PARAGRAF LTD（5）
TAIWAN SEMIC.（4） APPLIED MATE.（3） LINTEC CORP（3） NANTONG QS O.（3）
UNIV BARILAN（3） UNIV NANKAI（3） UNIV XIAN JI.（3） BEIJING WEIM.（2）
CALIFORNIA I.（2） CEC COMPOUND.（2） CTRON ADVANC.（2） GUANGDONG SU.（2）
HENKEL AG C.（2） IND TECHNOLO.（2） JIANGSU JIAN.（2） JIANGSU SUN .（2）

Concrete composite used for electrical circuit, and generating electricity, and used in wall, floor, post or building, comprises concrete and thermoelectric material comprising composite sulfide mineral, where composite comprises concrete.

SANTAMARIA R D A, GONZALEZ C J A, SANTAMARIA RAZO D A, GONZALEZ CALDERON J A

Laser contacting process used for bonding semiconductor elements, involves controlling amount of laser light absorbed by laser control structure, and bonding contacting sections and contacting object.

JANG K S, EOM Y S, CHOI G, CHOI K, JOO J, MOON S, LEE C, CHANG K S, MUN C K, JOO J H, MOON S H, LEE C M, WEN S, ZHU Z, CUI G, YAN L, CHANG K

Preparing quantum resistance chip based on graphene, involves providing silicon carbide substrate, annealing silicon carbide substrate, performing epitaxial growth on surface of substrate by using chemical vapor deposition method by using silicon ethane as gas catalyst and acetylene.

XIAO X, CHEN L, KONG Z, WANG H

Transistor for semiconductor device, has channel layer that comprises graphene layer and hexagonal boron nitride sheets dispersed in graphene layer and arrangement directions of hexagonal boron nitride sheets that are aligned and source/drain region next to gate stack that is obtained.

CHEN Z, CHU Z, CHEN T, CHUU C

Passivating agent useful in passivated perovskite thin film layer for perovskite solar cell, comprises amine containing compound and solvent including isopropanol, ethanol, ethyl acetate, toluene and/or chlorobenzene.

ZHOU S, ZHU Y, WANG X, ZHU X, WANG J

Preparing silicon nitride ceramic copper-clad plate for semiconductor component, involves weighing raw material alpha-silicon nitride, beta-silicon nitride, silicon carbide and sintering auxiliary agent, using silicon nitride graphene ball milling modification, and preparing mixed powder.

TAN C, LIU W, CHEN Z, ZHANG C, LIN W

Preparing anti-ultraviolet and anticorrosion solar battery back plate material useful for solar panel, comprises mixing modified graphene oxide masterbatch with silane graft modified polyethylene resin-dispersant-antioxidant, plasticizing, extruding, casting, biaxially stretching and cutting.

MA L, SHA X, SHA Y

Preparing composite nano-coating material used in chip, involves using graphene nanosheet, soluble iron salt, soluble nickel salt and concentrated alkali as raw material, precipitating iron and nickel element on surface of graphene nanosheet in form of hydroxide by co-precipitation method.

ZHENG T, LI M, MAO J, JIN Y

Preparing directional heat conductive graphite carbon film and directional heat conduction carbon part comprises dissolving soluble polyimide and graphene oxide in dimethylacetamide solvent, stirring, placing film on rolling roller, folding, pressing film, evaporating solvent and continuing pressing.

GUO H

Preparing copper alloy semiconductor lead frame for circuit board, comprises heating copper alloy ingots, removing oxide, aging, adding copper alloy semi-finished product silver plating bath for silver-plated plating treatment, and activating.

CAO G, LI C, XU J, YIN H