国家/地区 欧洲专利局（EPO）（41）
IPC部 C（36） B（32） H（19）
G（4） D（3） A（2）
IPC大类 C01（29） B82（27） H01（19）
B01（10） B32（10） C23（9）
C08（8） B05（5） C09（4）
C22（4） B21（3） C07（3）
C25（3） D01（3） D06（3）
IPC小类 C01B（29） B82Y（26） H01L（11）
B32B（10） B01J（8） C08J（7）
C23C（7） H01B（7） B05D（5）
B82B（5） B01D（4） C08K（4）
C22C（4） B21B（3） C07C（3）
IPC C01B031/04（26） B82Y030/00（24） B82Y040/00（23）
C01B031/02（23） H01L021/02（7） H01L029/16（6）
C01B032/186（5） B82B003/00（4） B82Y099/00（4）
C01B000/00（4） C01B031/00（4） C01B032/194（4）
C08J005/00（4） C08K003/04（4） C23C016/26（4）
发明人 CHIBA G（3） CHIBA Y（3） HYEONG K S（3）
JEONG K S（3） KIM S H（3） KIM S J（3）
KYOON S M（3） SHIN M K（3） YOSHIHIRO C（3）
GEIM A（2） GEIM A K（2） GORBACHEV R（2）
GORBACHEV R V（2） KELBER J（2） KIM J（2）
公开年 2012（41）
申请年 2012（41）
专利权人 UNIV HANYANG.（4） JX NIPPON MI.（3） NIPPON MININ.（3） NIPPON MININ.（3）
UNIV MANCHES.（3） NIPPON MININ.（2） SAMSUNG ELEC.（2） SEKISUI CHEM.（2）
SEKISUI CHEM.（2） UNIV NEW YOR.（2） UNIV NORTH T.（2） UNIV RICE WI.（2）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Reverse osmosis membrane, has microporous support layer and polyamide-based active layer, which is formed on microporous support layer and comprises graphene containing compound.

LEE P, SHIN C, YOO J, JEONG S, LEE Y, SHIN C K, YOO J E, JEONG S P, LEE Y J, WOO J, JUNG S

Producing graphene, used in e.g. capacitor and ink, comprises providing metallic particles as templates, providing carbon source, reacting metallic particles and carbon source and forming graphene particles on metallic particles.

COLEMAN K

Growing a one or two monolayer film of graphene on a substrate, comprises depositing a first layer of graphene on the substrate, and annealing the carbon layer to form an ordered graphene layer one or two monolayers thick on the substrate.

KELBER J

Electronic device has first electrode with epitaxial graphene monolayer forming ohmic contact with substrate, and second electrode with epitaxial graphene monolayer forming Schottky baffler with substrate.

WEBER H B, KRIEGER M, HERTEL S, KRACH F, JOBST J, WALDMANN D

Method for non-destructively transferring graphene, involves nondestructively combining graphene coated with media with target substrate, and removing media to transfer graphene to target substrate nondestructively.

REN W, GAO L, MA L, CHENG H

Manufacture of optionally substituted aryl group-substituted polycyclic aromatic compound used for manufacturing graphene, involves reacting polycyclic aromatic compound and boron compound substituted by optionally substituted aryl group.

ITAMI K, MOCHIDA K, KAWASUMI K, SEGAWA Y, KAJINO T

Sorption of materials from an environment e.g. aqueous solution involves associating graphene oxides with an environment comprising the materials containing radioactive elements, chlorates, perchlorates or organohalogens.

TOUR J M, SLESAREV A, KOSYNKIN D V, ROMANCHUK A Y, KALMYKOV S N, TOUR J, KOSYNKIN D, ROMANCHUK A, KALMYKOV S

Copper foil for manufacturing graphene, has specified sum total of oxides and sulfides having diameter of below preset value before heating under hydrogen and argon-containing atmosphere.

CHIBA Y, YAMAJI T, YOSHIHIRO C, TATSUYA Y, CHIBA G

Copper foil for manufacturing graphene, has specified total number of oxide and sulfide having specified diameter with respect to elemental-analysis measurement of surface using scanning electron microscope.

CHIBA Y, YAMAJI T, YOSHIHIRO C, TATSUYA Y, CHIBA G