国家/地区 日本（40）
IPC部 C（34） H（29） B（17）
G（5） A（4）
IPC大类 C01（30） H01（28） B82（9）
C08（9） C09（6） C23（6）
H05（6） B01（5） B32（4）
A61（3） B05（3） C07（3）
C04（2） G01（2） G06（2）
IPC小类 C01B（30） H01L（17） B82Y（9）
H01M（9） H01B（8） C08K（6）
H01G（6） C23C（5） B01J（4）
B32B（4） C08J（4） C08L（4）
B05D（3） C09C（3） H05K（3）
IPC C01B031/04（20） C01B031/02（17） C01B032/182（17）
C01B032/184（9） B82Y030/00（8） C01B032/15（8）
C01B032/18（8） B82Y040/00（7） H01M004/62（7）
C08K003/04（6） H01B001/04（6） H01L021/02（6）
H01L029/16（6） C01B032/186（5） C01B032/194（5）
发明人 AKASAKA Y（3） AKITA M（3） NAITO K（3）
SAKAI T（3） YOSHINAGA N（3） CASTRO A H（2）
CHEN L（2） KAMIYA N（2） OZYILMAZ B（2）
SCHWAB M G（2） STIER A V（2） TANG Y（2）
WANG G（2） YANG T（2） YANG T Y（2）
公开年 2015（40）
申请年 2015（40）
专利权人 TOSHIBA KK（6） TOSHIBA CORP（3） AKASAKA Y（2） BASF SE（2）
FUJITSU LTD（2） GRAPHENE PLA.（2） JINAN SHENGQ.（2） JINAN SHENGQ.（2）
NAITO K（2） TOKYO ELECTR.（2） UNIV SINGAPO.（2） YANG T（2）
YOSHINAGA N（2）

Processing of to-be-processed material for electronic device, involves forming resist mask on graphene film of to-be-processed material and remove resist residue on graphene film by exposing to-be-processed material to oxygen radicals.

KAGAYA MUNEHITO, KAGAYA M

Semiconductor device e.g. power device, has semiconductor layers comprising diamond, electrode and intermediate layer comprising specific carbide, graphite, graphene and/or amorphous carbon.

SUZUKI M, SAKAI T

Method of manufacturing graphene layer on substrate, involves laminating metalized graphene layer to second substrate.

LIPOMI D J, ZARETSKI A, LIPOMI D

New biocompatible interface comprising graphene-related materials (G-biointerface), useful for remote manipulation of electrical properties of cell membrane.

MOLOKANOVA E

Nitrogen-doped graphene coated nano-sulfur anode composite material, used in making lithium-sulfur batteries, comprises three-dimensional conductive network formed by nitrogen-doped graphene, and nitrogen-doped graphene sheets.

HOU Y, LI G, LI H, LI W, LIU M, QIU Y, YE F, ZHANG Y, ZHOU L

Adhesive tape used for thermal radiation film for thermal radiation components, consists of adhesive layer provided in surface side of support material having layer containing graphene in surface of metallic substrate.

YAMAGAMI A, IMAI K, ADACHI T

Apparatus for plasma synthesis of graphitic products including graphene, passes cracked carbon-containing species into reaction chamber, and recombining cracked carbon-containing species within afterglow.

PENNINGTON D A, CLAYTON A R, JUDA K L, PAUKNER C, KURZEPA L, COOPER R H S J, KOZIOL K K, JOAUG J Y, ST JOHN COOPER R H, ST JOHN C R H

Preparation of sulfonated graphene used for e.g. transparent electroconductive electrode and thermal conductive material, involves contacting reaction medium containing oxidative sulfonating agent with organic material, and heating.

HAO J, JIANG Y, LI J

Electrode for e.g. coin-type storage battery of e.g. mobile phones, has electrode main body including active material particle, graphene and polyvinylidene fluoride, where fluoride comprises one of polyene and aromatic ring structures.

IKENUMA T

Preparation of graphene material used for component of electronic device e.g. energy storage device and energy generation device, involves exposing polymer to laser source and forming graphene.

KITTRELL C, LIN J, PENG Z, TOUR J M, HAYASHI K