国家/地区 日本（63）
IPC部 B（63）
IPC大类 B82（63）
IPC小类 B82Y（61） C01B（58） H01M（20）
B32B（16） H01L（16） C23C（12）
H01B（12） B82B（10） B01J（8）
B05D（8） C22C（6） H01G（6）
B21B（5） C22F（5） C07C（4）
IPC C01B031/02（54） B82Y030/00（52） B82Y040/00（46）
C01B031/04（41） H01M004/62（12） C01B032/182（11）
H01M004/36（11） H01M004/587（11） H01M004/583（10）
C01B032/20（9） H01B001/04（9） B82B003/00（8）
H01M004/04（8） H01M004/13（8） C01B031/00（7）
发明人 KOKUNI T（6） OGUNI T（6） CHIBA G（5）
CHIBA Y（5） NOMOTO K（5） KIMURA N（4）
KOBAYASHI T（4） NAGATA T（4） OSADA T（4）
SHIMIZU K（4） TODORIKI H（4） TODOROKI H（4）
YOSHIHIRO C（4） BANDO M（3） FENG X（3）
公开年 2013（36） 2012（24） 2014（3）
申请年 2012（63）
专利权人 SEMICONDUCTO.（12） JX NIPPON MI.（5） NIPPON MININ.（5） NIPPON MININ.（5）
HON HAI PREC.（4） HONGFUJIN PR.（4） SONY CORP（4） UNIV TSINGHU.（4）
BASF AG（3） BASF SE（3） NIPPON MININ.（3） TODORIKI H（3）
BASF CHINA C.（2） EMPIRE TECHN.（2） ISLAND GIANT.（2） JAPAN SCI T.（2）
JAPAN SCI TE.（2） LOCKHEED COR.（2） LOCKHEED MAR.（2） MAX PLANCK G.（2）

Graphene oxide useful in graphene-polymer composite used in coating liquid, for coating steel sheet.

YOO H, KIM J, JUNG Y, YOO H J, KIM J K, JUNG Y G, KIM J S, LIU H

Unitary graphene layer or graphene single crystal useful for heat-spreading applications e.g. as a heat spreader or a heat sink product in e.g. hand-held device comprises closely packed and chemically bonded parallel graphene planes.

ZHAMU A, WANG M, XIONG W, JANG B Z

Formation of band-gap in graphene raw material used for e.g. light reception and light-emitting devices, involves forming graphene film on surface having nanosize porous holes active on graphene.

HASUO T, KUBOTA H, FUKUYAMA H, HOMMA Y, SAITO S, MASUDA H

Graphene structure for semiconductor device comprises substrate and graphene nano ribbon which is formed on the substrate and has predetermined width as prohibition body width as a semiconductor produces.

KATO T, HATAKEYAMA R

Gelatinizer for manufacture of metal nanoparticle and graphene comprises compound derived from amino acid and fatty acid.

DELBECQ F, ENDO H, KAWAI T

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Preparation of graphene paper involves introducing protective gas into reaction chamber having clean substrate, heating substrate, continuously introducing carbonaceous material and cooling to obtain graphene paper on substrate surface.

WANG Y, YUAN X, ZHOU M

Deionizing solution involves functionalizing graphene sheet apertures to repel first ions in solution that also inhibits transit of second ions and passing solution by flow path to form deionized solution on solution flow path output side.

HO G S, BENNETT R G, BEDWORTH P V, STETSON J B

Manufacturing method of semiconductor device, involves forming graphene layer on catalyst layer after planarizing exposed surface of catalyst layer by oxidation-treating.

YAMAZAKI Y, KATAGIRI M, SAKAI T, SAKUMA H, KITAMURA M, SAKATA A, WADA M, KAJITA A, MIZUSHIMA I, SAKUMA N

Memory cell switch for reversibly opening and closing circuit, has ferroelectric material formed between graphene structure and conductive structure, where conductive structure provides switch into on and off states.

SANDHU G S, SANDHU G