国家/地区 美国（286）
IPC部 H（199） B（194） C（156）
G（55） D（9） A（8）
F（5）
IPC大类 H01（192） B82（164） C01（124）
B32（42） C23（40） B01（32）
G01（30） B05（27） C08（22）
H05（21） C07（15） C25（14）
G02（14） C09（12） C30（9）
IPC小类 B82Y（159） C01B（123） H01L（119）
B32B（42） H01B（41） C23C（38）
H01M（33） B05D（27） B82B（23）
B01J（20） G01N（20） C08K（15）
C08L（13） H01G（13） H05K（13）
IPC B82Y030/00（97） B82Y040/00（93） C01B031/04（91）
C01B031/02（71） H01L029/16（39） B82Y099/00（37）
H01L029/06（30） C23C016/26（26） H01B001/04（25）
H01L021/02（24） H01L021/336（21） H01L029/786（21）
B82B003/00（20） H01L029/66（19） H01L029/78（19）
发明人 FAN S（17） LIN Y（10） WEI Y（10）
JANG B Z（7） JIANG K（7） LIN X（7）
WANG L（7） ZHAMU A（7） ZHU W（7）
AFZALIARDAKANI A（6） GUO J（6） HE X（6）
LEE J（6） LI J（6） MILLER S A（6）
公开年 2013（286）
申请年 2012（286）
专利权人 INT BUSINESS.（31） HON HAI PREC.（23） HONGFUJIN PR.（23） UNIV TSINGHU.（23）
SAMSUNG ELEC.（21） SEMICONDUCTO.（13） UNIV SUNGKYU.（9） EMPIRE TECHN.（7）
JANG B Z（7） NANOTEK INST.（7） ZHAMU A（7） SAMSUNG ELEC.（6）
ELECTRONICS .（5） ELECTRONICS .（5） UNIV SUNGKYU.（5） UNIV SUNGKYU.（5）
US SEC OF NA.（5） BASF AG（4） BASF SE（4） INDIAN INST .（4）

Formation of magnetic graphene composite used as e.g. electromagnetic wave, involves adhering iron particles on graphene substrate, forming one shell on iron particles subsequent to iron particles adhered to graphene substrate.

GUO Z

Removable structure for absorbing broadband electromagnetic radiation in microwave and terahertz frequencies to cloak object, has graphene sheets provided on or about object, and dielectric layer placed intermediate graphene sheets.

AVOURIS P, GARCIA A V, SUNG C, XIA F, YAN H

Method of fabricating graphene FET, involves forming cuts in two different portions of graphene layer.

DIMITRAKOPOULOS C D, FRANKLIN A D, SMITH J T

Integrated circuit apparatus for nanoelectronic applications, has source/drain regions spaced apart and relative to one another on heavily doped substrate, where cuts are formed in portions of graphene layer of transistor.

DIMITRAKOPOULOS C D, FRANKLIN A D, SMITH J T

Synthesis of thin film e.g. graphene film for e.g. electronic application, involves stacking buffer layer on substrate, coiling substrate and buffer layer stack to cylindrical shape, forming thin film, and unloading substrate.

LI X

Method for cloaking object by absorbing electromagnetic radiation at microwave and terahertz frequencies, involves placing layers of graphene sheet and transparent dielectric layer on or about object, and absorbing portion of frequencies.

AVOURIS P, GARCIA A V, SUNG C, XIA F, YAN H

Interconnect structure for forming integrated circuit (IC) has contiguous layer of graphene formed on exposed sidewall surfaces and topmost surface of copper-containing structure that is present on surface of substrate.

OTT J A, BOL A A

Fabrication method of graphene-based electronic nanoconstriction device, involves forming top-gate dielectric layer over graphene layer, and forming top-gate electrode over graphene channel.

CHEN C, HAN S

Non-transitory tangible computer readable medium for fabricating integrated circuit structure i.e. gate tunable graphene-based electronic nanoconstriction device, has set of instructions for locating graphene layer between contacts.

CHEN C, HAN S

Integrated graphene film-enhanced display device useful as e.g. LCD, comprises display device comprising one or multiple heat sources and back surface, and heat spreader comprising sheet of integrated graphene film having two major surfaces.

WANG M, XIONG W, ZHAMU A, JANG B Z