国家/地区 美国（174）
IPC部 C（174）
IPC大类 C01（134） H01（92） B82（67）
C23（31） B01（29） C08（24）
B32（23） C09（16） B05（13）
C07（12） C30（10） G01（9）
H05（9） C25（8） C04（6）
IPC小类 C01B（134） B82Y（60） H01L（51）
C23C（29） H01B（29） B01J（23）
B32B（23） H01M（22） H01G（16）
C08K（15） B05D（13） B82B（12）
C08L（12） C30B（10） C08J（9）
IPC C01B031/04（105） C01B031/02（67） B82Y040/00（43）
B82Y030/00（40） H01L021/02（19） C23C016/26（16）
H01B001/04（16） C08K003/04（15） H01L029/16（13）
C01B032/182（12） B32B009/00（11） H01L051/00（11）
H01M004/133（11） B82B003/00（10） C01B031/00（10）
发明人 LEE J（8） JANG B Z（6） ZHAMU A（6）
CHOI J（5） LEE J H（5） LEE S（5）
LI X（5） LIN Y（5） SHIN H（5）
BYUNG Y S（4） CHOI K（4） CHOI N（4）
HAN Y J（4） HYOUNG S S（4） JUNG H（4）
公开年 2014（174）
申请年 2013（174）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（14） UNIV SUNGKYU.（8） EMPIRE TECHN.（6） JANG B Z（6）
TOSHIBA KK（6） ZHAMU A（6） KOREA INST S.（5） NANOTEK INST.（5）
SNU R DB FO.（5） HANWHA TECHW.（4） SAMSUNG TECH.（4） TOSHIBA SAMS.（4）
UNIV SEOUL N.（4） BASF CHINA C.（3） BASF SE（3） HANWHA AEROS.（3）
INT BUSINESS.（3） LEE J（3） LI X（3） MAX PLANCK G.（3）

Reduced graphene oxide-silver phosphate used for photodegradation of organic textile dyes, comprises preset amount of reduced graphene oxide and silver phosphate.

DAS D P, SAMAL A, DAS J, DASH A

Material useful in electric device, comprises reduced graphene oxide, where degree of reduction of graphene oxide exhibits spatial variation so that material exhibits gradient in electric conductivity and/or permittivity.

LOGAKIS E, SKORDOS A, CHATZI P

Forming graphene involves rotating drum within evacuated chamber, coating the drum with layer of tantalum-silicon-nitride, coating it with layer of copper, electro-polishing, heating, coating with layer of graphene, monitoring and removing.

DAWSON D J, ZAMANOV N S

Method for synthesizing graphene thin film using chemical vapor deposition, involves positioning separator material adjacent to or in relationship with substrate to form composite, where composite is winded to provide coiled substrate.

LI X, WU J, NING H

Organic-semiconductor film used for channel in transistor structure, has pseudo graphene structure including two-dimensional network structure which is formed continuously.

KAGAYA M, MATSUMOTO T, KATO D, KATO T

Forming system for graphene on substrate, has carbon-containing heating element which heats substrate by controlling feeding of process gas, and transports carbon to substrate surface for graphene growth, to form graphene sheet on substrate.

LI X

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Magnetic field sensor device, comprises a semiconductor body, electronic components formed in substrate layer, and a Hall plate that is provided on top of semiconductor body and above a passivation layer and comprises graphene compound.

FRANKE J

Manufacture of metal oxide-graphene nanocomposite used for electrode, involves preparing synthetic material of nanocomposite using cobalt chloride hydrate and/or distilled water, hydrothermally treating, and forming graphene flakes.

KIM C K, KIM S W, JEONG G H, LEE H M

Proton battery for biological sensors, mobile devices, and electric vehicles comprises anode formed of graphene oxide from acidic pH, cathode from pH greater than acidic pH of anode, and charge collectors deposited on anode and cathode.

WEI D, BORINI S M, WHITE R, KIVIOJA J, BORINI S