国家/地区 中国（50）
IPC部 B（50）
IPC大类 B82（38） H01（32） C01（27）
B05（13） B32（13） C08（9）
B01（8） C09（8） C23（6）
C03（3） G06（3） B23（2）
B29（2） C04（2） C30（2）
IPC小类 C01B（26） B82Y（25） B82B（17）
H01L（16） B05D（13） B32B（13）
H01B（13） H01M（11） C08K（8）
B01J（7） C09D（6） C08L（5）
C08J（4） C23C（4） H01G（4）
IPC B82Y030/00（20） C01B031/02（20） C01B031/04（20）
B82B003/00（16） B82Y040/00（15） H01B001/04（10）
C08K003/04（8） B05D005/12（7） C01B031/00（7）
B32B009/00（6） H01L029/16（6） H01B001/24（5）
H01L021/02（5） H01L029/786（4） H01M010/052（4）
发明人 AKSAY I A（6） AKSAY I（5） ZHANG L（5）
LIU Z（4） ZHAO J（4） CHEN W（3）
HUANG Y（3） KORKUT S（3） LI H（3）
LIU J（3） LIU Y（3） MA L（3）
PRUD H R K（3） PRUD HOMME R K（3） PRUDHOMME R K（3）
公开年 2010（24） 2011（14） 2009（12）
申请年 2009（50）
专利权人 AKSAY I A（6） UNIV PRINCET.（6） BATTELLE MEM.（3） GUARDIAN GLA.（3）
GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） KORKUT S（3） LIU J（3）
PRUDHOMME R .（3） UNIV ZHEJIAN.（3） WANG D（3） BAYER TECHNO.（2）
CHINESE ACAD.（2） CHOI D（2） CRAIN J M（2） FUJITSU LTD（2）
HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） KOU R（2） LETTOW J S（2）

Air electrode for use in air battery, has graphene layers that are oriented in given direction, and basal plane of carbon material that is appeared upon surface of carbon material.

MIZUNO F, NISHIKORI H, HIGASHI S

Manufacturing method of semiconductor device for, e.g. personal computer (PC), involves forming conductive film touching graphene layer on insulator.

KONDO D, SATO S

Producing a graphene-solution, useful for producing a composite material, which is useful in batteries, capacitors, paints, coatings and catalysts, comprises reducing graphite with an alkali metal salt in a polar organic solvent.

WOLF A, LOLLI G, MLECZKO L, SCHLUETER O F, SCHLUETER O F K, SCHLUETER O, SCHLUTER O F

Composite material, useful for producing graphene layers material, comprises a layered double hydroxide or a layered silicate and a polyacrylonitrile, which is at least partially decomposed to graphene layers.

WOLF A, LOLLI G, MLECZKO L, SCHLUETER O F, SCHLUETER O F K, SCHLUTER O F

Method for cutting graphene in boundary selectivity way, involves providing heterojunction with boundary, where bandwidth of graphene, width of heterojunction and size of quantum point are in nanometer level.

CHENG H, WU Z, GAO L, REN W, LIU B

Method for performing anisotropic etching of graphene, involves cutting graphene and patterning graphene, to form zigzag edge.

WANG Y, YANG R, ZHANG G, SHI D, ZHANG L

Switching device for graphene nanometer electromechanical system, has graphene tape suspended over drain electrode and connected or disconnected with drain electrode when graphene tape is deformed.

WANG Y, YANG R, ZHANG G, SHI Z, SHI D

Manufacture of nano graphene-based material used for e.g. rechargeable batteries, involves mixing graphite sulfuric slurry and potassium permanganate sulfuric solution and then adding aqueous hydrogen peroxide solution to mixture.

KWON Y J, KIM J H, GU J W, PARK W H, KIM S B, SHIN C M, JI B K, KWON D H, PARK S Y, JI B, GU J, KWON Y, PARK W, KWON D, SHIN C

Nanocomposite material for energy storage device, preferably for lithium ion battery electrode comprises layers, each layer having metal oxide bonded to graphene layer.

LIU J, AKSAY I A, CHOI D, KOU R, NIE Z, WANG D, YANG Z, WON C D, JYEONGUO Y, AKSAY I

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V