国家/地区 美国（63） 中国（21） 韩国（18） 世界知识产权组织（14） 台湾（11） 日本（10） 欧洲专利局（EPO）（9） 德国（5） 加拿大（2） 英国（2） 新加坡（2）
IPC部 B（64） H（55） C（22）
G（17） D（2） F（2）
IPC大类 B82（64） H01（54） C01（16）
B32（10） B05（9） C23（7）
G01（7） H05（6） B01（4）
G02（4） G11（4） B29（2）
C10（2） C30（2） D01（2）
IPC小类 B82Y（64） H01L（44） C01B（16）
B32B（10） B05D（9） H01B（9）
C23C（7） H01G（6） H05K（6）
G01N（5） H01M（5） G11C（4）
B01D（3） B82B（3） B29C（2）
IPC B82Y099/00（64）
发明人 LIN Y（5） CHOI J（4） FAN S（4）
AFZALIARDAKANI A（3） AVOURIS P（3） CHOI J Y（3）
LIU Z（3） SUNG C（3） TULEVSKI G S（3）
WEI Y（3） ZHU W（3） ZHU Y（3）
CHANDRA B（2） CHANG C S（2） CHANG J B（2）
公开年 2013（38） 2012（18） 2014（8）
申请年 2012（64）
专利权人 INT BUSINESS.（14） SAMSUNG ELEC.（9） HON HAI PREC.（4） HONGFUJIN PR.（4）
UNIV TSINGHU.（4） CHOI J（2） EMPIRE TECHN.（2） ISLAND GIANT.（2）
PENG H（2） SAMSUNG DISP.（2） SUNG C（2） UCHICAGO ARG.（2）
UNIV KENTUCK.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Organic LED (OLED) device used for e.g. display, lighting has planar sheet of doped graphene located on exposed surface of substrate, and an interfacial layer located directly on exposed surface of planar sheet of doped graphene.

CHEN T, HANNON J B, LI N, OIDA S, SADANA D K, TULEVSKI G S, SALDANHA D K, CHEN Z

Semiconductor structure for use in cellular phones, personal computing device, has ordered array of graphene nanoribbons which is located on surface of substrate, in which graphene nanoribbon is provided with predetermined width.

DIMITRAKOPOULOS C D, FRANKLIN A D, SMITH J T

Method for representing data in e.g. compact disk-ROM of mainframe computer, involves applying first voltage to back gate of graphene-based memory device and second voltage to graphene layer, which is bent into opening of insulation layer.

ZHU W

Electrochemical energy conversion and storage device e.g. battery, comprises pair of current collectors, graphene film as anti-corrosion protective layer, on current collectors, and electrolyte between current collectors.

LIN Y, ZHAO X

Manufacturing article comprising energy storage device used as e.g. lithium ion battery and pseudocapacitors, comprises forming encapsulating film on substrate, and depositing particles on the film, where the film comprises graphene.

LIN Y, ZHAO X

Method for forming graphene on substrate used in mechanical system, involves forming solution processed graphene on substrate so as to establish low friction wear surface.

SUMANT A V, ERDEMIR A, CHOI J, BERMAN D

Current collector for use in lithium ion battery, has support comprising two surfaces, and graphene layer located on one of two surfaces of support, and graphene layer comprising graphenes stacked with each other.

WANG J, JIANG K, FAN S

Device for fabricating carbon-based semiconductor device e.g. graphene-channel FET, has gate contact which is in non-overlapping position with drain contact leaving exposed section of channel between gate contact and drain contact.

BOJARCZUK N A, COPEL M W, LIN Y

Integrated circuit apparatus for nanoelectronic applications, has source/drain regions spaced apart and relative to one another on heavily doped substrate, where cuts are formed in portions of graphene layer of transistor.

DIMITRAKOPOULOS C D, FRANKLIN A D, SMITH J T

Graphene transistor device for graphene transistor system has interface that maintains consistent degree of electrical conductivity between graphene layer and source and drain electrodes.

AFZALIARDAKANI A, AVOURIS P, FARMER D B, LIN Y, ZHU Y