国家/地区 日本（73）
IPC部 B（73）
IPC大类 C01（73） B82（54） H01（45）
B32（26） B01（20） C23（16）
C25（10） B05（8） H05（8）
C08（7） C22（7） B21（6）
C09（6） C07（5） C02（4）
IPC小类 C01B（73）
IPC C01B031/02（73）
发明人 CHIBA Y（6） CHIBA G（5） NOMOTO K（5）
OGUNI T（5） KIMURA N（4） KOBAYASHI T（4）
KOKUNI T（4） NAGATA T（4） OSADA T（4）
SHIMIZU K（4） YOSHIHIRO C（4） BANDO M（3）
FENG X（3） GUO J（3） GUO J W（3）
公开年 2013（39） 2012（24） 2014（10）
申请年 2012（73）
专利权人 SEMICONDUCTO.（10） JX NIPPON MI.（6） NIPPON MININ.（5） NIPPON MININ.（5）
PANASONIC CO.（4） SONY CORP（4） BASF AG（3） BASF SE（3）
DOKURITSU GY.（3） HON HAI PREC.（3） HONGFUJIN PR.（3） JAPAN SCI T.（3）
JAPAN SCI TE.（3） NIPPON MININ.（3） UNIV TSINGHU.（3） BASF CHINA C.（2）
EMPIRE TECHN.（2） FUJI ELECTRI.（2） HASHIMOTO K（2） ISLAND GIANT.（2）

Manufacture of laminate used for thin film solar cell, involves smoothing uneven surface of substrate by forming resin layer in uneven surface, and laminating substrate and graphene film which are bonding together, through resin layer.

FUJII K, SATO M

Graphene film roll comprises graphene film, resin layer, and base material, where resin layer is obtained using resin with predetermined adhesive peel strength after curing.

YAMADA T, SHIMADA N

Graphene oxide useful in graphene-polymer composite used in coating liquid, for coating steel sheet.

YOO H, KIM J, JUNG Y, YOO H J, KIM J K, JUNG Y G, KIM J S, LIU H

Unitary graphene layer or graphene single crystal useful for heat-spreading applications e.g. as a heat spreader or a heat sink product in e.g. hand-held device comprises closely packed and chemically bonded parallel graphene planes.

ZHAMU A, WANG M, XIONG W, JANG B Z

Formation of band-gap in graphene raw material used for e.g. light reception and light-emitting devices, involves forming graphene film on surface having nanosize porous holes active on graphene.

HASUO T, KUBOTA H, FUKUYAMA H, HOMMA Y, SAITO S, MASUDA H

Manufacturing method of graphene involves growing copper single crystal film on spinel single crystal plane substrate, and growing graphene by chemical vapor deposition method with carbon-containing source gas.

NOZAWA K, YOSHII S

Method of growing graphene for electronic device involves forming metal film on single crystal silicon, reacting single crystal silicon and part of metal film, and epitaxially growing metal silicide film on single crystal silicon.

HAYASHI K

Rolled copper foil used for manufacture of graphene used for formation of graphene sheet used for e.g. conductive thin film of display element, has preset detection strength ratio in positive pole, under specified conditions.

CHIBA Y

Manufacture of electromagnetic-wave-absorption film for e.g. personal computer, involves coating organic-solvent dispersion liquid comprising graphene microparticles and binder resin on surface of plastic film, and drying coated film.

KAGAWA S, SEIJI K

Manufacture of graphene film used as transparent conductive film, involves growing graphene on substrate, contacting graphene with another substrate, removing substrate, and stretching graphene and fixing laminated material.

FUJII K, SATO M