国家/地区 美国（42） 韩国（28） 世界知识产权组织（26） 中国（18） 日本（14） 欧洲专利局（EPO）（10） 台湾（6） 加拿大（2） 西班牙（2） 英国（2）
IPC部 B（54）
IPC大类 C01（54）
IPC小类 C01B（54）
IPC C01B031/02（41） C23C016/26（39） B82Y040/00（33）
B82Y030/00（32） C01B031/04（31） H01B001/04（10）
B32B009/04（8） B82B003/00（8） B01J023/755（6）
B32B009/00（6） B82Y099/00（6） B32B038/10（5）
C01B032/186（5） C23C016/02（5） C23C016/44（5）
发明人 CHOI J（5） HONG B H（3） KIM H（3）
KIM K H（3） CHOI B（2） CHOI B L（2）
CHOI J Y（2） HUNLEY D P（2） LEE E（2）
LEE E K（2） LEE J（2） SEOK W J（2）
SHIN H（2） SHIN H J（2） SONG Y（2）
公开年 2013（33） 2012（16） 2014（5）
申请年 2012（54）
专利权人 HANWHA TECHW.（6） SAMSUNG TECH.（6） SAMSUNG ELEC.（5） HANWHA AEROS.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） KOREA ADVANC.（3） SRC CORP（3） UNIV SUNGKYU.（3）
CHOI J（2） HONG B H（2） UNIV KENTUCK.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Graphene oxide useful in graphene-polymer composite used in coating liquid, for coating steel sheet.

YOO H, KIM J, JUNG Y, YOO H J, KIM J K, JUNG Y G, KIM J S, LIU H

Forming three dimensional structures based on graphene having sp1-linear carbon chain, by condensing carbon on graphene or its surface by evaporating graphite in vacuum, and forming hexagonal close-packed structure of chain with graphene.

GLUKHOV D E

Method of growing graphene for electronic device involves forming metal film on single crystal silicon, reacting single crystal silicon and part of metal film, and epitaxially growing metal silicide film on single crystal silicon.

HAYASHI K

Manufacturing graphene involves preparing a carrier member on which the graphene is formed on one surface, exposing the graphene to dopant vapor, transferring the doped graphene onto a target member, and removing the carrier member.

YOON J, YOON J H

Method for forming graphene on substrate used in mechanical system, involves forming solution processed graphene on substrate so as to establish low friction wear surface.

SUMANT A V, ERDEMIR A, CHOI J, BERMAN D

Graphene film, useful in a LCD element and electronic paper display device, comprises self-assembled monolayer formed on substrate, and graphene oxide thin films formed on self-assembled monolayer.

HWANG J O, KIM S O

Device, useful for producing graphene for transistor, comprises chamber with space for processing substrate, substrate support, gas supply, light source, focusing unit, and unit for transferring formed graphene layer on substrate.

BYOUNG W J, BYUNG J C, SEOK W J

Composition, useful in an electronic device, spintronic device or optoelectronic device, comprises ordered film of boron nitride containing multiple layers, where the film has a major surface, and a layer of graphene formed on major surface.

KELBER J A

Composite structure, useful for a transparent electrode in display panels of mobile phones and tablet personal computers, comprises nanofiber substrate, graphene layer disposed on a surface of a net structure and organic compound.

MA C M, HUANG Y, YANG S, TIEN H, MA M C, WANG N

Fabricating graphene, comprises depositing graphene seed layer on substrate of base layer, depositing catalyst metal layer on substrate and graphene seed layer and introducing carbon atom to graphene seed layer.

PATIL V