国家/地区 中国（39） 美国（24） 世界知识产权组织（20） 韩国（15） 欧洲专利局（EPO）（9） 日本（9） 西班牙（3） 台湾（3）
IPC部 C（51）
IPC大类 C23（51）
IPC小类 C23C（49） C01B（32） B82Y（20）
B32B（13） H01L（13） C30B（11）
B01J（8） H01B（5） B05D（3）
B82B（3） A61L（2） B21B（2）
C04B（2） C09D（2） C22C（2）
IPC C23C016/26（32） C01B031/04（22） C01B031/02（20）
B82Y030/00（15） B82Y040/00（15） C30B029/02（6）
C01B032/186（5） C23C016/56（5） C23C016/44（4）
C23C016/54（4） C30B025/18（4） H01B001/04（4）
H01L021/02（4） H01L021/205（4） B32B009/04（3）
发明人 GUO H（6） LEI T（6） ZHANG K（6）
ZHANG Y（6） DENG P（5） DING G（4）
XIE X（4） CHOI J（3） HONG B H（3）
JIANG M（3） KIM H（3） LIU J（3）
BI H（2） CHENG H（2） CHIBA G（2）
公开年 2012（51）
申请年 2012（51）
专利权人 UNIV XIDIAN（6） CHINESE ACAD.（4） HANWHA TECHW.（4） SAMSUNG TECH.（4）
SAMSUNG ELEC.（3） SHANGHAI INS.（3） UNIV SUNGKYU.（3） CHINESE ACAD.（2）
DENG P（2） GRAPHENE SQU.（2） GUO H（2） HANWHA AEROS.（2）
JX NIPPON MI.（2） KOREA ADV IN.（2） KOREA ADVANC.（2） LEI T（2）
NIPPON MININ.（2） NIPPON MININ.（2） UNIV SUNGKYU.（2） XU Z（2）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Controllable layer number graphene thin film, prepared by preparing germanium-silicon substrate, carburizing and heating copper-nickel composite substrate with carbon source gas.

DING G, JIANG M, XIE X, ZHU Y

Graphene continuous production device has annealing system, chemical vapor-phase deposition system and graphene fast cooling system integrated in vacuum chamber.

XU Z

Method for non-destructively transferring graphene, involves nondestructively combining graphene coated with media with target substrate, and removing media to transfer graphene to target substrate nondestructively.

REN W, GAO L, MA L, CHENG H

Method of disposing graphene thin film over target receiving substrate involves hetero-epitaxially growing graphene thin film on catalyst thin film containing a metal and disposing graphene thin film and catalyst thin film.

VEERASAMY V S

Copper foil for manufacturing graphene, has specified sum total of oxides and sulfides having diameter of below preset value before heating under hydrogen and argon-containing atmosphere.

CHIBA Y, YAMAJI T, YOSHIHIRO C, TATSUYA Y, CHIBA G

Device for manufacturing two-dimensional nanometer film e.g. graphene film, has balance chamber, processing chamber and discharging chamber which are respectively connected with independent vacuumizing device.

HUANG W, XU M, ZHONG M

Alloy method for preparing large area graphene thin film by depositing carbon alloy film on high temperature resistant substrate, annealing film, providing carbon atom concentration in alloy thin film surface and growing graphene thin film.

XU Z

Method for forming graphene pattern using exfoliation technique, involves selectively peeling graphene layer by polymer stamp, and forming raised pattern on rotator polymer stamp, where polymer stamp is made of polydimethylsiloxane.

AN K, CHUNG T, JUNG D, KIM C G, KIM H S, LEE S S, LEE Y K, AN K S, CHUNG T M, LEE S, LI Y, KIM C, KIM H

Graphene structure used in high power pulse magnetron sputtering preparation, has upper layer that is provided with amorphous carbon film and lower layer that is provided with multilayer graphene film.

KE P, WANG A, ZHANG X