国家/地区 美国（40） 韩国（39） 中国（8） 欧洲专利局（EPO）（8）
IPC部 H（37） B（28） C（18）
G（6）
IPC大类 H01（37） B82（17） C01（15）
B01（8） B32（7） C23（6）
B29（2） B41（2） G01（2）
G03（2）
IPC小类 H01L（35） B82Y（15） C01B（15）
B32B（7） C23C（6） B01J（5）
H01B（4） B01D（3） B29C（2）
B41M（2） B82B（2） G01N（2）
G03F（2） H01J（2）
IPC H01L029/16（18） H01L029/78（14） C01B031/02（13）
H01L029/786（13） H01L029/66（12） H01L021/336（11）
H01L029/06（11） B82Y040/00（8） C01B031/04（8）
H01L021/02（8） B82Y099/00（6） H01L029/778（6）
B32B009/00（5） H01L029/10（5） B82Y010/00（4）
发明人 LEE J H（15） LEE J（13） CHUNG H（12）
HEO J（11） SEO D（11） BYUN K E（9）
CHOI J（9） CHUNG H J（9） HEO J S（9）
PARK S（9） PARK S J（9） BYUN K（8）
SONG H（8） SONG H J（8） LEE C（7）
公开年 2014（31） 2013（11） 2015（3）
申请年 2013（45）
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（45）

Graphene device comprises a gate electrode, a source electrode, a drain electrode and a plasmonic pattern that is formed on the gate electrode, where multiple penetration holes are formed in the gate electrode.

KYOUNG J S, JEONG H J, BYUN K E, LEE J H, HEO J S

Graphene device, includes gate electrode layer which is formed on gate insulation layer and third electrode layer formed on second portion of graphene layer.

SEO D, KIM H J, YOO I K, LEE M J, CHO S H, KIM H, YOO I, LEE M, CHO S

Manufacture of single crystal graphene film involves melting catalyst layer on substrate, cooling molten catalyst, forming catalyst region, and expanding catalyst region to expand cooling area of catalyst layer.

HAN I T, KIM H J, KIM S G, KIM Y C, LEE J H, YOO J B

Method for patterning graphene using laser, involves coating graphene oxide as a film on a substrate, where the transparent film is laminated on the graphene oxide and the laser is irradiated on a ring element.

TAE H L, EAH H B, JAE D N, JOON S O, TAE S H

Hydrogen treated graphene surface having specified band gap and hole mobility.

HONG J I, SON J Y, HONG J, SON J, SUN Z

Manufacture of graphene, carbon nanotube, fullerene and/or graphite for forming structure, involves depositing metal-containing material on graphene, carbon nanotube, fullerene and/or graphite and irradiating electron beam on structure.

SHIM J, JEON T, EOM K, LEE D, SHIM J Y, JEON T H, EOM K S, LEE D H

Manufacture of graphene laminated structure used for electronic device, involves plasma-treating surface of hexagonal boron nitride sheet, depositing hexagonal boron nitride sheet on graphene sheet, and forming insulating layer.

KIM S, HAN S, HAN S A, KIM S W

Composite laminated structure useful for producing thermoelectric material for thermoelectric element of thermoelectric module for e.g. waste heat development and thermal nuclear development, comprises graphene and thermal mineral.

BAIK S H, HONG S H, KIM W Y, LEE S H, RYU C J

Composite laminate for thermoelectric laminate used in thermoelectric device, comprises graphene and thermoelectric inorganic material containing single crystal having hexagonal crystal system.

RYU C, HONG S, KIM W, BAIK S, LEE S, CHOI J, BAIK S H, HONG S H, KIM W Y, LEE S H, RYU C J

Graphene memory has Schottky barrier that is formed between conductive semiconductor substrate and graphene layer such that graphene layer is used as charge-trap layer for storing charges.

LEE J, CHUNG H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, HEO J, LEE J H, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H, SONG C, SAIL D