国家/地区 欧洲专利局（EPO）（26）
IPC部 C（26）
IPC大类 C01（26） H01（26） B82（13）
C07（7） C25（7） B32（5）
B01（4） C09（3） C23（3）
H05（3） B44（2） C08（2）
C30（2）
IPC小类 C01B（26） H01L（13） B82Y（12）
H01M（9） C07C（7） H01B（6）
H01G（6） B32B（5） C25B（5）
B01J（3） C09K（3） B44C（2）
B82B（2） C07D（2） C23C（2）
IPC C01B031/02（26）
发明人 MUELLEN K（4） FENG X（3） LEE J（3）
MILLEN K（3） MULLEN K（3） WU Z（3）
ABDELKADER A M（2） DRYFE R A W（2） JEFF R A W（2）
KINLOCH I A（2） KUBOTA Y（2） LIU G（2）
SCHWAB M G（2） SCHWAB M G S（2） SUN P（2）
公开年 2014（13） 2013（8） 2015（5）
申请年 2013（26）
专利权人 MAX PLANCK G.（5） BASF CHINA C.（4） BASF SE（4） SAMSUNG ELEC.（2）
TORAY ADVANC.（2） TORAY IND IN.（2） UNIV MANCHES.（2）

Preparing anthracite based graphene oxide comprises e.g. preparing ultra-clean anthracite powder, adding dispersant, carrying out ultrasonication to prepare dispersion liquid, and preparing graphene oxide colloid solution.

ZHANG L, ZHANG M

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Transferring a graphene layer from a metal substrate to a second substrate by providing a graphene layer on the metal substrate, adsorbing hydrogen atoms on the metal substrate, and treating the metal substrate.

HUYGHEBAERT C, VEREECKEN P M, POURTOIS G

Manufacture of functionalized graphene used for e.g. barrier material, involves forming mixture using graphite oxide, solvent and functionalized compound containing sulfur and amino group, reacting, and recovering resultant graphene.

LEE J S, DO SEUNG H, JEON S Y, HAN G W, KONG J H, DO S H, LEE J, DO S, JEON S, HAN G, KONG J

Producing in electrochemical cell of one or more of graphene, graphite nanoplatelet structures, and graphane, involves passing current through cell to intercalate ions into graphitic negative electrode.

DRYFE R A W, KINLOCH I A, ABDELKADER A M, JEFF R A W, DRYFE R A V

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

Precursor composite, useful in electrode material for alkali ion battery, comprises graphene oxide with a specified value of carbon and oxygen ratio, and electrochemically active material including tetravalent vanadium oxohydroxide.

METTAN Y, MYTAN Y

Transferring graphene films from substrate to another substrate, during manufacturing of e.g. touch display, involve forming material layer on part of surface of first substrate, and attaching second substrate to second surface of layer.

WILLNER B I, WILLNER B