国家/地区 世界知识产权组织（160）
IPC部 C（111） B（94） H（90）
G（26） F（7） D（5）
A（2）
IPC大类 C01（91） H01（87） B82（55）
B01（25） B32（18） C08（16）
C23（14） C09（12） B05（10）
C07（10） G01（10） G02（7）
H05（7） C02（5） C04（5）
IPC小类 C01B（91） B82Y（49） H01L（46）
H01B（29） H01M（20） B32B（18）
H01G（15） B01J（14） C23C（13）
B01D（11） B05D（10） B82B（10）
C08K（9） C08L（9） C07C（7）
IPC C01B031/04（68） C01B031/02（51） B82Y040/00（36）
B82Y030/00（31） C01B032/182（14） H01B001/04（13）
H01B013/00（12） C23C016/26（10） H01L029/16（10）
B01D071/02（9） B32B009/00（9） C08K003/04（9）
H01G011/36（9） B82B003/00（8） H01B001/24（8）
发明人 MILLER S A（6） DUERKSEN G L（5） KIM S（4）
LI Y（4） WANG Y（4） YOON J（4）
YOON J H（4） FENG X（3） KIM M（3）
MOON J（3） MUELLEN K（3） MULLEN K（3）
SATO M（3） XU Y（3） ZHOU X（3）
公开年 2014（160）
申请年 2013（160）
专利权人 EMPIRE TECHN.（8） BASF CHINA C.（5） BASF SE（5） HANWHA TECHW.（5）
SAMSUNG TECH.（5） DOKURITSU GY.（4） LG ELECTRONI.（4） MAX PLANCK G.（4）
NAT INST ADV.（4） NIPPON MININ.（4） HANWHA AEROS.（3） NOKIA CORP（3）
NOKIA TECHNO.（3） SHENZHEN CHI.（3） UNIV CALIFOR.（3） UNIV NANYANG.（3）
BASF SCHWEIZ.（2） BOE TECHNOLO.（2） BOEING CO（2） CHEN Z（2）

Reduced graphene oxide-silver phosphate used for photodegradation of organic textile dyes, comprises preset amount of reduced graphene oxide and silver phosphate.

DAS D P, SAMAL A, DAS J, DASH A

Material useful in electric device, comprises reduced graphene oxide, where degree of reduction of graphene oxide exhibits spatial variation so that material exhibits gradient in electric conductivity and/or permittivity.

LOGAKIS E, SKORDOS A, CHATZI P

Device useful for isolating substance from blood comprises first sheet of graphene, second sheet of graphene, and conduit system operably coupled to first sheet of graphene and second sheet of graphene.

BACHMANN S M, MOUNTCASTLE P D, TIETJEN B W

Organic-semiconductor film used for channel in transistor structure, has pseudo graphene structure including two-dimensional network structure which is formed continuously.

KAGAYA M, MATSUMOTO T, KATO D, KATO T

Graphene base transistor e.g. graphene junction transistor, for packaged system-on-chip of electronic device, has collector stack and base layer provided with same lateral extension along direction that is parallel to substrate surface.

WOLFF A, MEHR W, LUPINA G, DABROWSKI J, LIPPERT G, LUKOSIUS M, MELIANI C, WENGER C

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Process for cleaning graphene used in device, involves removing graphene support layer having graphene layer using organic solvent, and removing graphene support layer residue by positioning cleaning component on graphene layer.

CHOI W J, LEE J O, LEE Y K, CHUNG Y J, PARK S R

Manufacture of metal oxide-graphene nanocomposite used for electrode, involves preparing synthetic material of nanocomposite using cobalt chloride hydrate and/or distilled water, hydrothermally treating, and forming graphene flakes.

KIM C K, KIM S W, JEONG G H, LEE H M

Proton battery for biological sensors, mobile devices, and electric vehicles comprises anode formed of graphene oxide from acidic pH, cathode from pH greater than acidic pH of anode, and charge collectors deposited on anode and cathode.

WEI D, BORINI S M, WHITE R, KIVIOJA J, BORINI S

Graphene quantum dot optical detector, has graphene quantum dot layer formed with multiple graphene quantum dots and arranged with graphene layer, where graphene quantum dot layer removes moisture and solution in graphene layer.

CHOI S H, KIM S, KIM C O, SHIN D H