国家/地区 中国（103） 美国（49） 韩国（35） 世界知识产权组织（31） 日本（18） 欧洲专利局（EPO）（14） 台湾（12） 德国（3） 英国（3） 印度（3） 波兰（3） 加拿大（2） 西班牙（2） 新加坡（2）
IPC部 C（160）
IPC大类 C23（160）
IPC小类 C23C（160）
IPC C23C016/26（88） C01B031/04（55） C01B031/02（24）
C23C016/44（22） B82Y030/00（16） B82Y040/00（16）
C23C016/01（16） C23C016/02（16） C01B032/186（14）
C23C014/06（13） C23C016/56（12） C01B032/182（10）
C23C016/455（9） C23C026/00（8） C23C028/00（8）
发明人 ZHANG Y（14） SHI H（12） LI Z（10）
HUANG D（9） JIANG H（9） ZHANG X（9）
ZHU P（9） GAO X（8） CHEN Z（6）
DU C（6） LIU Z（5） WANG J（5）
YANG J（5） ZHANG L（5） CHEN Y（4）
公开年 2015（92） 2014（50） 2016（17）
申请年 2014（160）
专利权人 CHINESE ACAD.（12） CHONGQING MO.（10） CHONGQING GR.（3） HARBIN INST .（3）
SHANGHAI INS.（3） SUZHOU HONGJ.（3） UNIV SHANGHA.（3） UNIV TSINGHU.（3）
AIXTRON SE（2） BOE TECHNOLO.（2） BOEING CO（2） CENT ADVANCE.（2）
CHANGZHOU 2D.（2） CHINESE ACAD.（2） DAVIS M A（2） FAN S（2）
HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） INST MICROEL.（2） JIANG K（2）

Optically infrared-transparent conductor for use in infrared imaging technologies, has graphene layer placed on network forming nanohybrid layer of graphene layer and network, and passivation layer palced on portion of nanohybrid layer.

SON K

Preparing nickel metallic mesh graphene film involves using grid having wide range of size and uniformity of the distribution.

CUI C, JIA Y, MA J

PROCESS FOR PREPARING GRAPHENE-BASED MATERIALS (GRAPHENE OXIDE AND REDUCED GRAPHENE OXIDE) ON VERY LARGE SURFACES BY CHEMICAL EXFOLIATION.

COTET L C, DANCIU V, BAIA G L

Graphene nano tape for use in electronic device, has inner walls that are provided with tape-shaped portion which is adjoined or attached for covering full length.

KAMISHIMA M, WATANABE H, NAGAMUNE T, KATADA A

Substrate for electro-forming plating e.g. metal key pad, has graphene layer which is formed on surface of conductive substrate.

LEE S H, RHO H K, KIM T W, BAE S K, SON D I

Separating carbon structure including e.g. graphene and carbon nanotube deposited on seed structure, comprises e.g. providing carbon structure into processing chamber, heating carbon structure and seed structure, and supplying etching gas.

MATHARU J, THOMAS S, TEO K B K, JOUVRAY A, JOUBEUREI A, MATARU J, TOMASEU S

Metallic bipolar plate useful in electrochemical cell e.g. low- and high temperature polymer electrolyte fuel cells/electrolyzers, comprises electrically conductive graphene-like coating.

WEISSBECKER V, LEHNERT W, REIMER U, WEI SZLIG BECKER V, REINERT W

Manufacturing method of graphene laminated structure, involves setting film thickness of iron carbide film more than thickness of boron nitride layer.

OSHIMA H

Manufacturing method of graphene-copper-graphene heterogeneous film, involves annealing copper of sample with same heating and cooling as single-layer graphene (SLG) SLG synthesis, without methane addition.

LAI C P

Method for preparation of epitaxial silicon carbide-graphene composite film, involves pre-treating substrate in chemical vapor deposition chamber, growing silicon carbide epitaxial layer, heating, decomposing and recombining structure.

ZHANG B, ZHANG X, ZHANG Z