国家/地区 韩国（831）
IPC部 C（748） H（135） B（71）
G（23） A（11） D（6）
F（5） E（4）
IPC大类 C01（716） H01（131） B01（30）
B82（26） C08（20） C09（17）
G01（17） C23（15） B32（10）
H05（8） A61（7） C04（7）
B05（6） C12（5） C25（5）
IPC小类 C01B（716） H01L（77） H01M（28）
B01J（21） B82Y（20） H01G（20）
C08L（17） C08K（16） H01B（14）
C23C（13） C09K（12） G01N（12）
C08J（11） B32B（10） B01D（8）
IPC C01B031/04（709） C01B032/182（24） H01L029/16（21）
C01B031/02（18） H01L041/18（18） H01L041/22（17）
C08K003/04（16） B82Y040/00（15） H01M010/052（15）
B82Y030/00（14） H01M004/62（11） H01M004/587（10）
C01B032/194（9） H01L021/02（9） H01M004/38（9）
发明人 LEE Y T（586） KIM S（12） PARK S（12）
SOHN K N（9） KWON W J（8） LEE H（8）
KIM D（7） KIM K S（7） LEE M J（7）
KIM J（6） LEE J（6） LEE K S（6）
PARK S J（6） KIM D H（5） PARK S H（5）
公开年 2016（831）
申请年 2015（831）
专利权人 LEE Y T（586） KOREA ADVANC.（13） LG CHEM LTD（13） UNIV SEOUL N.（12）
UNIV SUNGKYU.（12） SAMSUNG ELEC.（11） UNIST ULSAN .（8） KOREA INST S.（7）
KOREA INST C.（6） UNIV CHONBUK.（6） UNIV HANYANG.（6） UNIV YONSEI .（6）
KOLON IND IN.（5） UNIV KONKUK .（5） UNIV PUSAN N.（5） KIGAM KOREA .（4）
SAMSUNG ELEC.（4） UNIV YEUNGNA.（4） ADESSO CO LT.（3） BASIC SCI IN.（3）

Producing surface modified graphene transparent electrode useful for device, comprises e.g. coating nitrogen-doped graphene on upper surface of three-dimensional substrate comprising substrate or concavo-convex portion.

LEE H

Manufacture of ultra-thin cobalt oxide nanotube-intercalated graphene composite used as electrode for supercapacitor, involves mixing oxidized graphene dispersion and cobalt precursor solution, adding ammonia solution, and heating slurry.

SHIM J J, VAN HOA N

Color conversion tunable light emitting device comprises a quantum dot having a core-shell structure made of zinc oxide nanoparticles and graphene, and which coated with a mussel adhesive protein to form a light emitting layer.

SON D I, JUNG Y C, LEE E S, SHIM J H, LEE K S

Producing surface-modified graphene quantum dots useful as surfactant, comprises e.g. preparing mixture by dissolving e.g. 4-dimethylaminopyridine, graphene quantum dot in solvent, adding N,N'-dicyclohexylcarbodiimide, heating and cooling.

CHO H H, KIM B

N-doping of graphene for N-doped graphene oxide/graphene bilayered structure, involves forming graphene oxide by oxygen-plasma treatment of graphene, transferring graphene oxide to another graphene and doping with functional group.

CHO H J, SEO Y M, WHANG D

Graphene-based vertical heterostructure for use in electronic device for LED applications, has graphene layers separated from semiconductor layers by insulating layer and stacked sequentially in order described to form laminate structure.

WITHERS F, NOVOSELOV K

Transferring nanorod involves preparing substrate on which an intermediate layer is formed, where the intermediate layer is formed with graphene layer on it.

SOHN B H, SEO M S, KIM S S, HAN C S

Active sensor element comprises e.g. a transistor placed on a first substrate and having a graphene channel layer and source and drain electrodes formed on both sides of graphene channel layer, and a second substrate formed on transistor.

PARK W, CHUN S

Graphene-silicon composite used in electrical device e.g. secondary battery and capacitor, comprises graphene sheet comprising single or several graphene layers, and silicon-containing layer formed on graphene layers.

KIM D, LEE H

Apparatus for manufacturing graphene, comprises reaction chamber for providing internal space in which graphene growth plate is accommodated.

CHOI I S, CHOI M H, LEE H S, LEE K J, PARK D Y, PARK J H