国家/地区 中国（34） 美国（30） 日本（28） 韩国（19） 世界知识产权组织（19） 欧洲专利局（EPO）（9） 澳大利亚（5） 加拿大（5） 台湾（5） 德国（3） 印度（2）
IPC部 C（64）
IPC大类 C01（64）
IPC小类 C01B（64） H01M（27） H01L（22）
B82Y（15） H01G（15） H01B（13）
B01J（5） C09C（5） C23C（5）
C09D（4） B01F（3） B05D（3）
C01G（3） B32B（2） C04B（2）
IPC C01B032/182（64）
发明人 LIU Y（4） ISOBAYASHI A（3） JANG B Z（3）
JIPPO H（3） KAJITA A（3） KAWASAKI M（3）
KIM H（3） SAKAI T（3） TAMAKI E（3）
ZHAMU A（3） HIRAI Y（2） HUANG Y（2）
LIU X（2） MIYAZAKI H（2） OGUNI T（2）
公开年 2017（42） 2016（12） 2018（10）
申请年 2016（64）
专利权人 TOSHIBA KK（4） FUJITSU LTD（3） NANOTEK INST.（3） SEMICONDUCTO.（3）
TORAY IND IN.（3） JANG B Z（2） UNIV CALIFOR.（2） UNIV SEOUL N.（2）
UNIV TOHOKU（2） ZHAMU A（2）

Composition useful in composite material and device for controlling reduction state of graphene oxide, adjusting reduction state and electrical conductivity of graphene through flash annealing, comprises specific metal nanoparticles.

LEE J O, JEONG D W, CHAE S S, LEE G H, LEE S S, JEONG S H, KIM T G

Graphene oxide whose edges are oxidized and delaminated with oxygen atoms, useful in display device.

YONG G J, CHONG R P, JI S P, CHANG E K, JEONG E B, SUNG J K

Manufacturing method of heat radiation graphene sheet, involves plasticizing and ordering graphene sheet, where roll press satisfies predetermined condition relating temperature of plasticity and temperature of plate press.

MIN E H, LEE D W, NOH H S, HAN H J

Semiconductor device comprises transistor doping region of vertical transistor structure, graphene layer portion adjacent to portion of transistor doping region and transistor wiring structure adjacent to graphene layer portion.

SCHULZE H, RUPP R, RUHL G

Graphene nano-ribbon for e.g. magnetoresistive device, has zigzag-type edge structure in both ends of width direction, and in which one edge portion comprises methyl group and boron, and another edge portion comprises methyl group/nitrogen.

JIPPO H, SATO S

Fluorinated graphene oxide for e.g. super capacitor electrode, has reduced amount of nitrogen and boron.

KASHIWAKURA W, MOGI A

Perovskite photovoltaic cell comprises p-type impurity-doped graphene electrode having specified diffusion distance, hole-transport layer, barrier layer formed of metal oxide, barrier layer, electron-transport layer and upper electrode.

SUK H C, SANG H I, JIN H H, DONG H S, CHOI S H, IM S H, HEO J H, SHIN D H

Doping graphene layer, comprises depositing graphene layer on carrier substrate, removing carrier substrate from graphene layer in first liquid and applying graphene layer on surface region of target substrate to be coated in second liquid.

Preparation of graphene in formation of graphene film on insulated substrate, involves providing oxidation mild atmosphere, and growing graphene in substrate in pressure-reduced atmosphere by vapor phase growth method.

KANEKO S, KATO C, TANAKA S, OZAWA T, YASUHARA S

Production of isolated graphene sheets from supply of coke or coal powder for e.g. graphene-containing ink composition involves exposing supply of coke or coal powder to supercritical fluid and rapidly depressurizing supercritical fluid.

ZHAMU A, JANG B Z