国家/地区 日本（90）
IPC部 C（90） H（54） B（51）
G（9） A（5） F（3）
IPC大类 C01（90）
IPC小类 C01B（89） B82Y（23） H01M（23）
C23C（17） H01L（17） B01J（16）
H01G（16） H01B（13） B01D（8）
B32B（8） C08K（8） C09C（8）
C09K（7） C30B（7） C01G（6）
IPC C01B032/182（48） C01B032/15（37） C01B032/18（36）
C01B032/194（30） C01B031/04（25） B82Y040/00（19）
B82Y030/00（17） C01B031/02（15） C01B032/198（14）
H01M004/62（14） C23C016/26（13） C01B032/184（12）
C01B032/19（11） H01G011/36（11） C01B032/186（10）
发明人 JANG B Z（6） ZHAMU A（6） AIDA H（5）
AOTA N（5） BEDWORTH P V（5） SWETT J L（5）
TAMAKI E（4） HEISE S E（3） ISOBAYASHI A（3）
JIPPO H（3） KAJITA A（3） KAWASAKI M（3）
SAKAI T（3） SIMON S M（3） SINTON S W（3）
公开年 2017（66） 2016（18） 2018（6）
申请年 2016（90）
专利权人 LOCKHEED MAR.（6） NANOTEK INST.（6） FUJITSU LTD（5） NAMIKI SEIMI.（5）
SEMICONDUCTO.（5） TORAY IND IN.（4） TOSHIBA KK（4） JANG B Z（3）
LOCKHEED COR.（3） NITTO DENKO .（3） UNIV CALIFOR.（3） ZHAMU A（3）
ZHENG S（3） DAICEL CORP（2） GARMOR INC（2） LG CHEM CO L.（2）
LG CHEM LTD（2） NAT INST MAT.（2） TOKYO ELECTR.（2） UNIV KUMAMOT.（2）

Metal chalcogenide layer-grown graphene comprises metal chalcogenide layer formed by dispersing metal chalcogenide powder on graphene film grown in horizontal and vertical directions by evaporating in high-purity gas atmosphere.

DAYARAM M R, TANEMURA M, KALITA G

Graphene nano-ribbon for e.g. magnetoresistive device, has zigzag-type edge structure in both ends of width direction, and in which one edge portion comprises methyl group and boron, and another edge portion comprises methyl group/nitrogen.

JIPPO H, SATO S

Fluorinated graphene oxide for e.g. super capacitor electrode, has reduced amount of nitrogen and boron.

KASHIWAKURA W, MOGI A

Electrode active material used for forming anode electrode material, contains graphene sheet having specific thickness, and sheet composed of metallic compound, with both sheets being laminated.

SUN Y G, TANG J, ZHANG K, QIN L C

Manufacturing multilayer graphene for multilayer graphene laminated body used for electronic devices involves layer replacement process which crystallizes carbon film and carries out layer replacement of metal film and carbon film.

TOKO K, SUEMASU T

Preparation of graphene in formation of graphene film on insulated substrate, involves providing oxidation mild atmosphere, and growing graphene in substrate in pressure-reduced atmosphere by vapor phase growth method.

KANEKO S, KATO C, TANAKA S, OZAWA T, YASUHARA S

Producing isolated graphene sheets from supply of coke or coal powder, used in composite material, comprises dispersing particles of coke or coal powder in liquid medium to produce suspension, and exposing suspension to ultrasonication.

ZHAMU A, JANG B Z

Manufacture of carbon-material composition used in e.g. chemical applications, involves solvothermally reacting raw-coal matter and surfactant in solvent to form composition comprising hydrophilic group-containing graphene and graphite.

ABDULLAEVA Z, KELGENBAEVA Z

Manufacture of graphene for semiconductor element used for e.g. sensor involves immersing a pair of carbon electrodes in solvent, repeatedly generating spark discharge in pulses between electrodes, and forming graphene.

MASHIMO S, HAYAMI S, TAKEHIRA H

Manufacture of porous graphene layer used for e.g. textile industries, involves carrying out chemical vapor deposition of carbon source on catalytically active substrate which catalyzes graphene formation, and forming graphene.

PARK H G, HEIGHT M, CHOI K, PARK H