国家/地区 中国（82） 美国（23） 韩国（20） 世界知识产权组织（19） 台湾（9） 欧洲专利局（EPO）（8） 日本（7） 英国（3） 澳大利亚（2）
IPC部 C（120）
IPC大类 C23（120）
IPC小类 C23C（120） C01B（50） H01L（29）
B22F（9） B82Y（9） C30B（8）
H01J（7） H01M（7） B32B（5）
C22C（5） C22F（4） C25D（4）
H01B（4） A61B（3） B01J（3）
IPC C23C016/26（120）
发明人 MA Y（9） LI M（5） SHIN H（5）
BYUN K（4） LEE C（4） LEE E（4）
LI P（4） LI Y（4） LIU Z（4）
SHIN H J（4） WANG X（4） ZHANG J（4）
BYUN K E（3） CHEN Z（3） CHENG Y（3）
公开年 2021（55） 2022（53） 2023（12）
申请年 2021（120）
专利权人 APPLIED MATE.（5） SAMSUNG ELEC.（5） TOKYO ELECTR.（5） UNIV PEKING（5）
ZHEJIANG CHI.（5） BEIJING GRAP.（4） SHANGHAI XIN.（4） PARAGRAF LTD（3）
SUZHOU SHENG.（3） UNIV TIANJIN.（3） BEIJING TECH.（2） CHINA NUCLEA.（2）
CHONGQING XI.（2） DAEJOO ELECT.（2） LAM RES CORP（2） NINGBO INST .（2）
SONGSHAN LAK.（2） UNIV CHINA E.（2） UNIV DALIAN .（2） UNIV SINGAPO.（2）

Layer-by-layer structure graphene-metal composite material for use in various applications e.g. military fields, has material structure formed by repeatedly arranging graphene-metal structure according to tightly stacking technique.

ZHANG Y

Synthesizing surface of aluminum oxide graphite for high-purity carbon materials, comprises e.g. raising temperature of reactor, placing aluminum oxide nanoparticles in inner center of reactor, and injecting reaction gas into reactor.

KIM C D, NAMKEE S

Flexible graphene thin film used for transparent electrode devices, comprises flexible substrate, titanium buffer layer grown on one side of flexible substrate by sputtering and graphene thin film layer grown in-situ in same equipment.

YOON S G, IREH H

Preparation method of in-situ packaged two-dimensional material in e.g. electronics field, involves forming first material layer by cleavage of first material on substrate, and forming second material layer between first layer and substrate.

GAO H, YANG H, BIAN C

Method for processing semiconductor, involves material layer formed on portion of liner and metal-containing layer, where layer of material comprises graphene and portion of material layer on liner is removed.

MALLICK A B, SINGHA R S, GHOSH S, ROY S S

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Composite material used as positive electrode material for lithium-sulfur battery, comprises reduced graphene oxide-carbon nanotube hybrid material, cobalt carbide particles and sulfur particles loaded on hybrid material.

YAN C, YANG M, WANG N

Use of nitrogen-doped graphene metal material in heat-conducting field where nitrogen-doped metal graphene comprises metal base material and nitrogen-doped graphene.

WU Q, MA Y

Preparing copper rare earth graphene electrical contact material comprises e.g. mixing copper rare earth alloy powder and silicon powder to obtain mixed powder, carrying out chemical vapor deposition, separating silicon powder in mixed powder, sintering, extruding and drawing preform.

CAO H, MA Y

Controlling stress of amorphous carbon film, comprises depositing first amorphous carbon layer on substrate, and stacking graphene layer on amorphous carbon layer, and depositing second amorphous carbon layer on graphene and carbon layer.

KIM K