国家/地区 美国（67） 中国（64） 台湾（57） 日本（22）
IPC部 B（55） H（54） C（38）
G（9）
IPC大类 H01（50） B82（46） C01（33）
B32（15） C23（13） B05（7）
H04（4） B29（3） C03（3）
C30（3） G06（3） B22（2）
B44（2） B81（2） C22（2）
IPC小类 B82Y（42） C01B（33） H01M（20）
H01L（19） B32B（15） C23C（12）
B82B（11） H01J（9） B05D（7）
H04R（4） B29C（3） C03C（3）
C23F（3） C30B（3） G06F（3）
IPC B82Y030/00（26） B82Y040/00（22） C01B031/02（20）
C01B031/04（18） B82Y099/00（10） H01L033/00（10）
H01M010/0525（10） H01L033/02（9） H01M004/66（9）
B82B003/00（8） H01M004/62（8） C23C016/26（7）
H01L021/02（7） H01L029/06（6） H01L029/16（6）
发明人 FAN S（58） JIANG K（38） LIN X（23）
ZHANG L（15） FAN F Y（14） WEI Y（14）
WANG J（11） XIAO L（9） HE X（8）
LI J（8） WANG L（8） GUO J（7）
LIU P（7） LI Q（5） LIN X Y（5）
公开年 2013（25） 2012（11） 2014（11） 2011（10） 2022（4） 2015（3） 2016（3） 2018（3） 2023（3） 2020（2）
申请年 2012（30）  2011（13）  2014（9）  2009（5）  2010（5）  2021（4）  2017（3）  2019（2）  2020（2）  2022（2） 
专利权人 HON HAI PRECISION IND CO LTD（77）

Preparation of silicon-carbon composite anode material used in battery, involves nanocrystallizing silicon material in vacuum environment or environment obtained by introducing inert gas or solvent, self-assembling, adding carbon source, granulating and sintering spherical precursor.

CHEN M, LAI H, CHANG T, ZHANG Z

Manufacturing anode material for battery by forming anode material doped with chromium, mixing anode material doped with chromium, first carbonaceous material and binder to form mixed mass and heating mixed mass and sintering using inert gas to form amorphous carbon-coated integrated balls.

ZHANG Z, LIN Z, LAI H, LIN C, CHANG T

Manufacturing field effect transistor used in 2D material as channel layer, forming gate electrode, gate dielectric layer, and channel layer on substrate, forming insulating layer, etching stop layer, and protective layer on channel layer, etching insulating layer, and etching stop layer.

CHEN C, CHEN Z

Preparation of graphene involves growing graphene film on growth substrate, setting viscose layer on surface of graphene film, removing growth substrate and using water or cleaning organic solvent, and etching away from surface film.

FAN S, LI Q, JIN Y, ZHANG L, ZHANG T

Making field effect transistor by forming source and drain electrodes on respective first and second ends of graphene nanoribbons, forming insulating layer on nanoribbons, and forming gate on surface of insulating layer away from substrate.

FAN S, LI Q, JIN Y, ZHANG L, ZHANG T

Method for preparing FET e.g. junction FET, involves providing interdigital electrode on graphene nanoribbon composite structure, where electrode covers set of protrusions and is electrically connected to set of graphene nano-ribbons.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S

Preparing graphene nanoribbon composite structure, comprises e.g. providing substrate comprising protrusions arranged at intervals, growing graphene film on growth substrate, and setting adhesive layer on surface of graphene film.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S

Electron emission source comprises first electrode, insulating layer, and second electrode successively stacked in order, where second electrode is graphene layer, and graphene layer defines electron emission end to emit electrons.

FAN S, LIU P, YANG X

Making graphene adhesive film by growing graphene on copper sheet growth substrate, depositing adhesive layer on surface of graphene away from growth substrate and removing growth substrate by etching growth substrate with etching solution.

ZHANG T, HUANG Z, XIAO X, WANG Y, LI Q, FAN S

Semiconductor structure used in semiconductor device such as transistor, has metallic carbon nanotube, semiconductor layer and graphene layer that are stacked with each other to form three-layered stereoscopic structure.

ZHANG K, WEI Y, FAN S