国家/地区 美国（20）
IPC部 H（13） C（12） B（10）
G（2）
IPC大类 H01（13） C01（10） B82（7）
B32（3） B29（2） B44（2）
C12（2） C23（2） G01（2）
IPC小类 C01B（10） H01L（10） B82Y（6）
B32B（3） B82B（3） H01B（3）
B29C（2） B44C（2） C12Q（2）
C23C（2） G01N（2） H01G（2）
H01M（2）
IPC C01B031/04（8） H01L029/16（7） C01B031/02（5）
H01L021/02（4） H01L029/78（4） B82B003/00（3）
B82Y040/00（3） H01B013/00（3） H01L021/20（3）
H01L021/336（3） H01L029/06（3） H01L029/66（3）
B32B009/00（2） C12Q001/68（2） C23C016/26（2）
发明人 LEE J（20） LEE J H（7） LEE S（5）
LEE C（4） LEE J K（4） LEE S H（4）
PARK S（4） PARK S J（4） SHIN H（4）
SHIN H J（4） BYUN K（3） BYUN K E（3）
LEE C S（3） LEE U（3） LEE W（3）
公开年 2014（6） 2015（5） 2013（3） 2010（2） 2011（2）
申请年 2013（8）  2015（4）  2009（3）  2014（3）  2010（2） 
专利权人 LEE J（20）

Method for locally doping e.g. graphene, involves removing voltage between two-dimensional material and substrate, where density of portion of two-dimensional material proximate probe is compared to density of remainder of material.

WONG D, VELASCO J, JU L, KAHN S, LEE J, GERMANY C E, ZETTL A K, WANG F, CROMMIE M F

Preparation of carbon sheets used in e.g. electronic devices, involves growing graphene nanopowder comprised in graphene seed layer into carbon sheet comprising single layered graphene sheet of preset length and graphite sheet.

LEE J, PARK Y, CHOI W, LEE J K, PARK Y S, CHOI W K

Graphene-metal bonding structure for semiconductor device has intermediate material layer which forms edge-contact with metal layer from boundary portions of material contained in intermediate material layer that contacts metal layer.

LEE J, SHIN H, LEE M, LEE C, LEE J H, SHIN H J, LEE M H, LEE C S, LI M

Wiring structure for electronic device comprises conductive material layer and nanocrystalline graphene layer.

LEE C, SHIN H, PARK S, IM D, PARK H, SHIN K, LEE J, LIM H, LEE C S, SHIN H J, PARK S J, IM D H, SHIN K W, LEE J M, LIM H J, PIAO X

Graphene device e.g. graphene transistor has gate insulating layer that is mounted on capping layer to cover channel region and gate is mounted on gate insulating layer between source electrode and drain electrode.

XIANYU W, MOON C, LEE J, LEE C

Graphene device e.g. FET, has gate electrode for applying electric field to graphene channel layer, and junction contact layers for contacting portions of channel layer, where contact layers are electrically separated from each other.

LEE J, BYUN K, SONG H, SHIN H, LEE M, YOO I, PARK S, LEE J H, BYUN K E, SONG H J, SHIN H J, LEE M H, YOO I K, PARK S J, SONG C, LI M

Graphene lithium-ion capacitor consists of cathode, anode formed using graphene material, sacrificial lithium electrode which is electrically connected to anode, membrane which disposed between cathode and anode, and electrolyte.

SEO H, PARK K, KIM K, KIM I, YANG K, LEE J, HUN S, KIHOON P, KWANGHEON K, ILHWAN K, KWANGSUK Y, JAESEOK L, YANG G

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H

Manufacture of graphene for fabricating electronic device and display device, involves forming silicon carbide thin film on substrate, forming metal thin film on silicon carbide thin film, and heating to obtain metal composite layer.

LEE D W, SHIN H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, WOO Y, LEE J, CHUNG H, HEO J, SHIN H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, WOO Y S, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S

Tunneling field-effect transistor (TFET) for controlling current tunneling through semiconductor between graphene channel and electrode, has gate insulating layer that is formed on graphene channel of semiconductor layer.

HEO J, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, LEE J, CHUNG H, HEO J S, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, LEE J H, CHUNG H J, XU D, HUH J, JUNG H