国家/地区 美国（19） 韩国（16） 中国（6） 欧洲专利局（EPO）（5） 日本（4）
IPC部 H（16） C（9） B（6）
G（3） A（2）
IPC大类 H01（16） C01（9） B82（6）
C23（3） G03（3） A61（2）
IPC小类 H01L（13） C01B（9） B82Y（5）
C23C（3） G03F（3） H01M（3）
IPC C01B031/04（8） H01L029/16（7） H01L021/02（5）
B82Y030/00（4） H01L029/786（4） B82Y040/00（3）
G03F007/09（3） G03F007/11（3） H01L029/06（3）
H01L029/66（3） H01L029/78（3） H01M004/38（3）
C23C016/02（2） H01L021/027（2） H01L021/20（2）
发明人 PARK S（8） PARK S J（7） SHIN H（6）
SHIN H J（5） KIM S（4） LEE J（4）
CHO Y（3） CHO Y C（3） KIM H（3）
KIM H W（3） KIM S W（3） LEE J H（3）
LEE S（3） CHOI J（2） HEO J（2）
公开年 2016（19）
申请年 2015（12）  2016（7） 
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（19）

Cathode layer for lithium secondary battery of mobile electronic device, has carbon structure including cavity without binder and silicon particles in cavity, where structure comprises one of graphene, reduced graphene oxide and graphite.

LEE D, SHIN H, PARK S, LEE D W, SHIN H J, PARK S J

Preparation of graphene-encapsulated metal nanoparticles used in e.g. LED, involves supplying preset mole ratio of gas comprising carbon dioxide, methane and water on metal catalyst and reacting and cooling resultant product.

SON I H, LEE S J

Anode material for secondary battery used in electronic device has graphene foam structure that includes graphene frames connected to each other, and nanostructures in pores of graphene foam structure.

SHIN H, LEE D, PARK S, SHIN H J, LEE D W, PARK S J

Hardmask composition used for forming pattern, comprises several graphene nanoparticles having size of preset range, and solvent.

SHIN H, KIM S, SEOL M, PARK S, CHO Y, SHIN H J, KIM S W, SEOL M S, PARK S J, CHO Y C, XUE M, ZHAO L

Hardmask composition for pattern formation comprises a set of graphene nanosheets, each being doped with boron and/or nitrogen, and a solvent.

SEOL M, KIM S, SHIN H, PARK S, CHO Y, SEOL M S, KIM S W, SHIN H J, PARK S J, CHO Y C

Phase change memory device for use in integrated circuits, has graphene layer formed on lower electrode, phase change material layer formed on graphene layer and insulating layer, and upper electrode placed on phase change material layer.

KIM Y, AHN C, SOOD A, POP E, WONG H S P, GOODSON K E, FONG S, LEE S, NEUMANN C M, ASHEGHI M, KIM Y S, AHN C Y, LEE S H, WONG H P

Method for fabricating transistor using stacked structure, involves intercalating material between graphene layer and metal layer by heating material at pressure and temperature different from another temperature to form insulating layer.

JEON I, KU J, KIM H, JEON I S, KU J Y, KIM H W, JIN X, QIU Z

Layer structure for electronic device, has material layers which are on sides of diffusion barrier layer and diffusion barrier layer includes nano-crystalline graphene layer.

SONG H, NAM S, CHO Y, PARK S, SHIN H, LEE J, SONG H J, NAM S G, CHO Y C, PARK S J, SHIN H J, LEE J H

Seamless hexagonal boron nitride atomic monolayer thin film used for fabricating graphene device, has pseudo-single crystal structure having seamlessly merged boron nitride grains having preset dimension.

SUH H, SONG Y, WU Q, LEE S, KIM M, PARK S, KIM M W, LEE S J, PARK S W, SONG Y J, SUH H S

Hard mask composition used for manufacture of hard mask material film, comprises graphene copolymer and solvent.

KIM J, YU N, KIM B, YI S, CHOI J, KIM J H, YU N R, KIM B D, YI S S, CHOI J S