国家/地区 美国（46） 韩国（42） 中国（17） 日本（11） 欧洲专利局（EPO）（7） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（47） B（20） C（13）
G（4）
IPC大类 H01（47） B82（16） C01（10）
B32（3） C02（3） C23（3）
B01（2） G01（2） G11（2）
H03（2）
IPC小类 H01L（45） B82Y（15） C01B（10）
B32B（3） C02F（3） C23C（3）
B01J（2） B82B（2） G11C（2）
H01B（2） H01M（2） H03K（2）
IPC H01L029/78（27） H01L029/16（25） H01L029/786（21）
H01L021/336（17） H01L029/66（16） H01L029/06（13）
H01L029/778（12） H01L029/10（8） H01L051/05（8）
B82Y040/00（7） B82Y099/00（7） C01B031/04（7）
H01L021/02（7） C01B031/02（6） H01L029/08（6）
发明人 HEO J（52）
公开年 2014（11） 2011（7） 2012（7） 2013（7） 2022（4） 2015（3） 2023（3） 2016（2） 2017（2） 2019（2） 2020（2）
申请年 2013（11）  2011（9）  2010（6）  2014（5）  2022（5）  2012（3）  2015（3）  2016（2）  2018（2）  2020（2）  2021（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（46） HEO J（5） UNIV SEOUL N.（5） CHUNG H（4）
PARK S（4） SNU R DB FO.（4） BYUN K（3） SEO D（3）
SNU R DB FOU.（3） SONG H（3） IDEA ENVIRON.（2） LEE J（2）
LG ENERGY SO.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Manufacturing electronic device such as logic or memory device, involves preparing substrate including channel element, depositing carbon layer on channel element, depositing ferroelectric layer on carbon layer, depositing gate electrode on ferroelectric layer, and crystallizing.

SHIN H, SHIN K, JO S, LEE Y, HEO J

Electronic device has substrate having channel between source and drain, gate electrode and film structure with first ferroelectric layer, crystallization barrier layer and second ferroelectric layer sequentially on channel, where average sizes of crystal grains of ferroelectric layers, is preset.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, LI Z, LI Y, XU Z

Electronic device used in ferroelectric materials, comprises channel between source and drain, gate electrode on substrate and facing channel, ferroelectric thin film structure between channel and gate electrode, crystallization barrier layer has dielectric material and second ferroelectric layer.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, HEO J S, LEE Y S, LEE H S, NAM S G, MOON T H, YOUL B, HA L, HO L J

Positive electrode for lithium secondary battery, comprises positive electrode current collector, and positive electrode mixture layer arranged on electrode current collector and containing positive electrode active material and positive electrode additive comprising lithium-cobalt oxide compound.

JO C H, JUNG W M, KIM H H, YOO T G, HWANG J T, JUNG H J, HEO J W, KIM H, JUNGHAEJUNG, HUR J U, HEO J, JUNG H, HUANG J, LIU T, ZHENG W, ZHAO Z

Positive electrode for lithium secondary battery, comprises positive current collector, and positive electrode mixture layer containing positive electrode active material, positive electrode additive, conductive material and binder.

JO C H, JUNG W M, KIM H H, YOO T G, HWANG J T, JUNG H J, HEO J W, KIM H, JUNGHAEJUNG, HUR J U, HEO J, JUNG H, HUANG J, LIU T, ZHENG W, ZHAO Z

Visible light-sensitive photocatalyst useful in composition for removing organic carbon in wastewater, comprises core comprising bismuth tungstate and shell containing nitrogen-doped graphene oxide quantum dots and cyanide nitrogen.

HEO J, TRUE W H B

Hydrogen sensor for sensing low-concentration hydrogen gas with high sensitivity with low power and small size, has electrodes formed on substrate, and graphene layer is formed between electrodes to be spaced apart from electrodes.

HEO J, AHN J H

Electronic device is a semiconductor-based device such as logic device or a memory device, has substrate, and channel element, and channel element is provided as a channel layer on substrate and separate from substrate.

SHIN H, SHIN K, JO S, LEE Y, HEO J

Graphene device e.g. multifunctional device of switching device or electronic device, has gate that faces functional layer with graphene layer, and gate insulation layer that is formed between graphene layer and gate.

HEO J, LEE K, PARK S

Electronic device e.g. memory device, has carbon layer having bond structure formed between substrate and ferroelectric layer, comprises nanocrystalline graphene including nano-sized crystals.

HEO J, LEE Y, JO S, SHIN K, SHIN H, XU Z, LI R, ZHAO C, SHEN J, SHEN X, HEO J S, LEE Y S, SHIN K W, SHIN H J