国家/地区 中国（53）
IPC部 H（33） C（27） B（18）
G（4） A（3）
IPC大类 H01（32） C01（16） C08（12）
B82（10） C09（6） B32（4）
A61（3） B01（3） C23（3）
H05（3） B05（2） B22（2）
C04（2） C07（2） C25（2）
IPC小类 H01L（16） C01B（15） B82Y（10）
H01M（10） C08K（8） C08L（7）
H01B（5） B32B（4） C23C（3）
H01G（3） B01J（2） B05D（2）
B22F（2） C01G（2） C04B（2）
IPC B82Y030/00（8） H01M004/62（8） C01B032/182（7）
H01L029/786（7） C08K003/04（6） H01M004/36（6）
H01M010/052（6） H01L021/768（5） B82Y040/00（4）
C01B031/02（4） C01B031/04（4） C08L063/00（4）
H01L023/532（4） H01L029/10（4） H01L029/45（4）
发明人 LEE S（53）
公开年 2022（11） 2012（10） 2021（7） 2016（6） 2017（5） 2023（5） 2015（3） 2018（2）
申请年 2021（12）  2011（7）  2015（7）  2022（7）  2017（5）  2012（4）  2020（3）  2013（2）  2014（2）  2016（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（9） LG ENERGY SO.（5） UNIV GUILIN .（5） LEE S（3）
CHINA CHEM G.（2） DONG JIN SEM.（2） HANGZHOU CAB.（2） HYUNDAI MOTO.（2）
ILJIN MATERI.（2） INTEL CORP（2） JANG B Z（2） LG CHEM LTD（2）
LIN Y（2） NANOTEK INST.（2） NEWSOUTH INN.（2） SAMSUNG ELEC.（2）
TAIWAN SEMIC.（2） UNIV GUANGDO.（2） UNIV SEOUL N.（2） ZHAMU A（2）

Breathing circuit heating and heat preservation sleeve for ventilator, has tube body whose outer surface is provided with equidistant and uniformly distributed strip-shaped graphene electrothermal films, and insulating layer formed between adjacent strip-shaped graphene electrothermal films.

LI E, LEE S, ZHANG J, ZHANG F, ZHOU Y, PENG B, XIA M, HUANG J, TANG Y, LEI M

Fabricating semiconductor device involves loading substrate with structure having opening, into process chamber, forming two-dimensional material layers on upper surface of structure, to overlie opening and form air-gap, where upper portion of air-gap, is defined by two-dimensional material layers.

SHIN K, LEE S, YOON J, AN S, LI Z, YOUN J, AN X, AHN S J, SU Y J, LEE S Y, SHIN K W

Electronic device for use in electronic apparatus, has two-dimensional material layer formed between channel layer and gate electrode, where material layer blocks electron transfer between gate electrode and channel layer.

SHIN K, BYUN K, LEE S, KIM C, LEE C, LI C, JIN C, SHIN K W, BYUN K E, LEESANGSOO, LEE C S

Integrated circuit structure for use in computing device, has graphene layer including first side coupled to conductor, and second side perpendicular to first side, and two-dimensional transition metal dichalcogenide layer coupled to base.

NAYLOR C, MAXEY K, OBRIEN K, DOROW C, LEE S, PENUMATCHA A V, AVCI U E, METZ M, CLENDENNING S B, METZ M V, OBRIEN K P, NAYLOR C H, KIRBY M, CHELSEA D, RISUDARAT, VERMA P A, ABSIYUGARI, BEE C S, ARFCHI U E

Interconnection structure, has graphene layer arranged between first graphene layer and second graphene layer, where second graphene layer is arranged between conductive feature and dielectric material.

SUI X, ZHANG X, HUANG X, YANG G, CAI C, LEE S, LI S, SHUE S, CHANG H, HUANG H, YANG K, TSAI C, LEE C

Integrated circuit structure for use in computer platform, has interconnect structure coupled to transistors, and graphene fixed over top surface of first metal, where first metal is copper, ruthenium cobalt and molybdenum or tungsten.

NAYLOR C, CHAWLA J, METZ M, KING S, CHEBIAM R, KOBRINSKY M, CLENDENNING S, LEE S, JEZEWSKI C, CHUGH S, BIELEFELD J, CHU S, KIM S

Anode used for lithium secondary battery, comprises negative electrode mixture layer comprising silicon, and negative electrode active material including carbon material and silicon material containing silicon particles having preset particle diameter.

LEE S M, OH S S, KIM H H, JO C H, OH S, KIM H, ZHAO Z, LEE S

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Active material used for positive electrode of lithium secondary battery, is made of nickel-based lithium transition metal oxide, and comprises at least one secondary particles comprising aggregate of primary macroparticles, and coating layer comprising carbon material.

DO J, LHO E, PARK K, HAN G, KWAK M, PARK S, LEE D, LEE S, JUNG W, LHO E S, PARK K J, MIN K, PARK S M, LEE D J, LEE S O, JUNG W M, ZHENG W, LI S, LI D, HAN J, PARK G

Electronic component, e.g. multilayer capacitors, has body including stacked dielectric layers and internal electrodes, one of which includes particle including nickel and tin, and graphene layer, and external electrodes.

YOO W H, LEE E K, NA J Y, LEE S M, MOON L S, KWANG L E, YOU W H, LIU Y, LI E, LUO Z, LEE S