国家/地区 美国（91） 世界知识产权组织（51） 韩国（43） 中国（39） 欧洲专利局（EPO）（36） 日本（33） 台湾（10） 德国（5） 法国（5） 印度（4） 西班牙（3） 英国（3） 加拿大（2） 香港（2） 俄罗斯（2） 新加坡（2）
IPC部 B（99）
IPC大类 C01（99）
IPC小类 C01B（99） H01L（99） B82Y（75）
C23C（33） B32B（30） B01J（18）
B82B（16） H01B（15） C30B（13）
B05D（12） C23F（6） C07C（5）
C25D（5） B81C（4） C01G（4）
IPC H01L021/02（99）
发明人 SHIN H（5） CHO S（4） CHO S M（4）
CHOI J（4） CHOI J Y（3） FUKIDOME H（3）
JUNG Y（3） KIM Y（3） MIHASHI F（3）
MITSUHASHI F（3） PARK C（3） PARK C H（3）
SHIN H J（3） SUEMITSU M（3） SUNG C（3）
公开年 2013（19） 2012（15） 2014（14） 2017（12） 2015（11） 2016（6） 2011（5） 2010（4） 2022（4） 2018（2） 2019（2） 2020（2）
申请年 2013（20）  2011（14）  2012（13）  2015（13）  2016（9）  2009（5）  2010（5）  2014（5）  2017（5）  2020（3）  2022（3）  2019（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（12） HANWHA TECHW.（4） UNIV CALIFOR.（4） COMMISSARIAT.（3）
EMPIRE TECHN.（3） FUJITSU LTD（3） INT BUSINESS.（3） SUMITOMO ELE.（3）
UNIV MANCHES.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV TOHOKU（3） CALIFORNIA I.（2）
GRAPHENEA SA（2） HON HAI PREC.（2） HU S C（2） JOHNSON A T（2）
LGS INNOVATI.（2） LIN I（2） MEMC ELECTRO.（2） NOKIA TECHNO.（2）

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Digital formation of two-dimensional materials structures used for electronic components, involves generating donor substrates containing back surface and front surface, applying coating to front surface, and irradiating coating containing donor material.

ZERGIOTI I, PAPAZOGLOU S, ZACHARATOS F, LOGOTHETI A, PESQUERA A, ZURUTUZA A, NAVEH D

Performing low-temperature direct growth method of multilayer graphene for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography, involves forming etch stopper on substrate, and forming seed layer on etch stopper, where seed layer is selected from boron nitride, or boron carbon nitride.

KIM H Y, CHO J W, KIM H M, KIM S G, KIM H K, KIM H, MI K H, KIM S K

Method for preparing FET e.g. junction FET, involves providing interdigital electrode on graphene nanoribbon composite structure, where electrode covers set of protrusions and is electrically connected to set of graphene nano-ribbons.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S

Manufacturing strained two-dimensional material, involves separating synthesized two-dimensional material, substrate in fluid phase, lifting substrate, and releasing strain provided on flexible substrate.

YONGSOO C, JUNG Y

Manufacture of dense layer of electrochemical device, involves providing substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having specific particle size distribution, depositing layer on substrate, drying and densifying.

GABEN F

Crystalline graphene used in display device, is obtained by performing thermal treatment involving supplying heat to inorganic substrate, introducing vapor carbon supply, and binding activated carbon to grow crystalline graphene.

SHIN H, CHOI J, WOO Y, YOON S

Forming graphene layer for e.g., LEDs, by mixing carbon source with horizontally oriented molten solvent, precipitating carbon source to form graphite layer across molten solvent, and separating graphite layer into a set of graphene layers.

SUNG C, HU S C, LIN I, YU C

Manufacture of graphene-based device used for e.g. gas sensor, involves providing graphene assembly, transferring graphene assembly to substrate, using photolithography and removing UV barrier layer and photoresist layer.

MIGLIORATO M, KUMAR R, MONTEVERDE U

Graphene nanoribbon precursor for use in graphene nanoribbon that is utilized in electronic device for channel of FET and resonant tunneling diode, comprises substituted terphenyl compound.

YAMAGUCHI J