国家/地区 中国（166） 美国（114） 韩国（68） 世界知识产权组织（65） 日本（39） 欧洲专利局（EPO）（29） 台湾（21） 英国（10） 德国（4） 法国（4） 印度（4） 新加坡（4） 澳大利亚（3） 加拿大（3）
IPC部 C（285）
IPC大类 C23（285）
IPC小类 C23C（285）
IPC C23C016/02（285）
发明人 ZHANG Y（12） SHIN H（11） SHIN H J（10）
LI J（9） LIU Z（9） MATSUMOTO T（8）
WANG X（8） ZHANG J（8） ZHANG L（8）
ZHANG X（8） BYUN K（7） BYUN K E（7）
LEE C（7） LEE C S（7） LEE E（7）
公开年 2021（46） 2022（46） 2020（30） 2017（28） 2023（24） 2018（21） 2016（20） 2013（18） 2015（16） 2014（10） 2019（10） 2012（8） 2011（5） 2009（2）
申请年 2020（46）  2022（42）  2021（39）  2016（28）  2017（26）  2019（22）  2014（16）  2013（15）  2015（14）  2012（11）  2011（10）  2018（10）  2008（2）  2010（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（17） SHANGHAI INS.（8） TOKYO ELECTR.（8） UNIV CALIFOR.（7）
QUANTUM ELEM.（6） UNIV XIDIAN（6） UNIV IMAM AB.（5） UNIV PEKING（5）
UNIV SUNGKYU.（5） APPLIED MATE.（4） CHINA DONGFA.（4） PARAGRAF LTD（4）
UNIV IND AC.（4） CENT ADVANCE.（3） CHINESE ACAD.（3） CORNING INC（3）
KOREA INST S.（3） KUK IL GRAPH.（3） LAM RES CORP（3） POSTECH ACAD.（3）

Forming graphene involves pretreating surface for processing using one or more pretreating flowrates of substrate gas scavenging gas composition or annealing gas composition, in presence of one or more pretreating temperatures, to produce contaminant-depleted surface.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Plasma deposition of material onto two dimensional layer of first substrate, involves depositing protective layer directly onto dimensional layer by pulsed plasma deposition process, and depositing second layer onto protective layer by second plasma deposition process.

RIAZIMEHR S, KNOOPS H, SUNDARAM R

Depositing gate dielectric on two-dimensional material involves depositing seed layer over atomically smooth surface of two dimensional material, evaporating predefined thickness of seed layer from atomically smooth surface, and performing atomic layer deposition.

SHRIVASTAVA M, KHANEJA M, MEERSHA A

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Flexible graphene thin film used for transparent electrode devices, comprises flexible substrate, titanium buffer layer grown on one side of flexible substrate by sputtering and graphene thin film layer grown in-situ in same equipment.

YOON S G, IREH H

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Method for preparing conductive graphene film, involves forming concave-convex surface on copper foil by stamping, and using metal substrate chemical vapor deposition method to prepare copper-based graphene conductive film.

CHEN Q

Depositing nanoscale-thin film in preselected area on substrate for area-selective atomic layer deposition based on electron beam patterning of chemical functional groups, involves depositing layer of functionalizing molecule onto or adjacent to first surface of substrate.

YOUNG M J, MASCHMANN M R

Preparation method of in-situ packaged two-dimensional material in e.g. electronics field, involves forming first material layer by cleavage of first material on substrate, and forming second material layer between first layer and substrate.

GAO H, YANG H, BIAN C

Preparing gallium nitride nanowire/graphene composite material useful in sterilizing device, comprises providing substrate, forming layer of gold film on positive and negative surfaces of substrate, growing gallium nitride nanowire on substrate covered with gold film, and depositing graphene film.

LI J, FU Y, DAI Y, LIN C, WANG Z, LIN L, YANG Y, HU Y, XU Z, FU Z